【技术实现步骤摘要】
本专利技术半导体领域，更具体地，涉及ー种图像感测的系统和方法。
技术介绍
互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器由于CMOS图像传感器固有的某些优势，相对于传统的电荷耦合器件(CCD)越来越流行。具体来说，CMOS图像传感器通常需要较低的电压、消耗较少的功率，能够随机存取图像数据，可以用可兼容的CMOSエ艺制造，并使集成单芯片摄相机成为可能。CMOS图像传感器利用感光CMOS电路将光能转化成电能。感光CMOS电路通常包括形成在硅衬底中的光电ニ极管。当光电ニ极管暴露在光下时，在光电ニ极管中产生电荷。光 电ニ极管通常连接于MOS开关晶体管，该MOS开关晶体管用于采集光电ニ极管的电荷。可 以通过将滤色器置于感光CMOS电路上方来测定颜色。由CMOS图像传感器的像素接收的光常常是基于三种原色红色、緑色和蓝色(R，G，B)，而其他顔色可以采用各种组合和强度进行识别和/或形成(例如，当红色和緑色重叠时形成黄色)。然而，用于接收入射光的像素灵敏度随着CMOS图像传感器像素的尺寸缩减的趋势而降低，并且在对入射光，尤其是对具有长波长的比如红光(波长为约650nm)的入射光的...
【技术保护点】
一种器件，包括：衬底，具有像素区，所述衬底包括第一面和与所述第一面相对的第二面，所述衬底具有第一组分；感光元件，靠近所述像素区中的所述衬底的所述第一面；以及共同注入区，被设置为比所述感光元件更靠近所述衬底的所述第二面，所述共同注入区包括导电掺杂剂和既非p型掺杂剂也非n型掺杂剂的材料，所述共同注入区具有不同于所述第一组分的第二组分。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈政聪，黄薰莹，张永承，叶永富，陈毓萍，梁启源，吕受书，陈俊霖，陈家仁，申弘道，谢奇勋，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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