一种硅通孔封装方法技术

本发明专利技术提供了一种硅通孔封装方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，该方法包括，在所述半导体器件层上沉积金属间电介质，在所述晶片的芯片区对应的所述金属间电介质中制作与所述半导体器件层电连接的金属连线和金属衬垫，从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述衬底、半导体器件层和金属间电介质，以所述金属衬垫作为刻蚀停止层，形成与所述金属衬垫相通的硅通孔后，在所述硅通孔中填充金属并制作焊球。本发明专利技术一方面无需制作延伸金属层，通过减小切割道面积增大芯片区面积，使每个晶片上制作半导体器件数量增加；另一方面导电通孔在芯片区的密封环保护范围内，避免外界对其电信号传输的干扰，提高半导体器件可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造方法，特别涉及。
技术介绍
目前，半导体集成电路(IC)制造主要在衬底的晶片(wafer)器件面上生长半导体器件并进行互连。半导体器件制作在器件层中，以金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)器件为例，MOSFET器件的主要结构包括有源区、源极、漏极和栅极，其中，所述有源区位于衬底中，所述栅极位于有源区上方，所述栅极两侧的有源区分别进行离子注入后形成源极和漏极，所述栅极下方具有导电沟道，所述栅极和导电沟道之间有栅极电介质层。在MOSFET器件所在的器件层制作完毕后，还要在器件层之上制作金属互连层，由金属互连层为NOSFET器件之间的电信号传输提供物理保证。最终形成1C。金属互连层的制作称为金属互连层工艺(BEOL)。现有技术中，BEOL通常是指在金属间电介质(MD)中刻蚀通孔(via) 和沟槽并在其中填充金属形成金属衬垫(metal pad)和金属连线，其中，IMD用于metalpad和金属连线在金属互连层中的电绝缘，根据IC设计由金属连线将不同MOSFET器件的栅极、源极或者漏极连接到同一 metal pad。在半导体IC制造中，同一晶片上会制作成千上本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硅通孔封装方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，所述衬底具有晶片器件面和与其相对的晶片背面，所述半导体器件层位于所述衬底的晶片器件面上，该方法包括，所述半导体器件层上沉积金属间电介质，在所述晶片的芯片区对应的所述金属间电介质中制作与所述半导体器件层电连接的金属连线和金属衬垫，其特征在于，该方法还包括：从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述衬底、半导体器件层和金属间电介质，以所述金属衬垫作为刻蚀停止层，形成与所述金属衬垫相通的硅通孔；所述硅通孔中填充金属形成导电通孔，制作与所述导电通孔电连接的焊球。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：丁万春，刘煊杰，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：