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本发明提供了一种硅通孔封装方法，提供具有衬底和半导体器件层的晶片，该方法包括，在所述半导体器件层上沉积金属间电介质，在所述晶片的芯片区对应的所述金属间电介质中制作与所述半导体器件层电连接的金属连线和金属衬垫，从所述衬底的晶片背面依次刻蚀所述...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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