太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池及其制作方法，该太阳能电池包括设于半导体基底第一表面的掺杂层、设于半导体基底第二表面的第一区的掺杂多晶硅层、设于半导体基底第二表面的第二区的掺杂区、以及覆盖掺杂多晶硅层与掺杂区表面的绝缘层。绝缘层暴露了部分掺杂多晶硅层与部分掺杂区，使掺杂多晶硅层与掺杂区经由绝缘层的开口分别连接于第一电极与第二电极。半导体基底与掺杂层具有第一掺杂类型，掺杂多晶硅层与掺杂区之其中一者具有第二掺杂类型，其中另一者则具有第一掺杂类型，且第二掺杂类型相反于第一掺杂类型。本发明专利技术可以提高太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种，特别涉及一种具有高光电转换效率的。
技术介绍
现今人类使用的能源主要来自于石油，但由于地球的石油资源有限，因此近年来对于替代能源的需求与日俱增，而在各式替代能源中，太阳能已成为目前最具发展潜力的绿色能源。然而，受限于高制作成本、工艺工艺复杂与光电转换效率不佳等问题，太阳能电池的发展仍待进一步的突破。光电转换效率不佳的原因包括设在太阳能电池前侧的金属电极会遮挡部分入射光线，以及掺杂元件的少数载子容易发生复合(recombination)等。因此，如何制作出具有高光电转换效率的太阳能电池，而使太阳能取代现行高污染与高风险的能源实为当前能源产业最主要的发展方向之一
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种，通过太阳能电池中各掺杂元件与绝缘层相对位置的设计，可以提高太阳能电池的光电转换效率。本专利技术公开一种太阳能电池，其包括一半导体基底、一掺杂层、一掺杂多晶娃层、一掺杂区、一绝缘层、至少一第一电极以及至少一第二电极。半导体基底具有第一表面与第二表面，其中第二表面具有第一区与第二区，且半导体基底具有一第一掺杂类型。掺杂层位于半导体基底的第一表面，并具有该第一掺杂类型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，包括：一半导体基底，具有一第一表面与一第二表面，其中该半导体基底具有一第一掺杂类型，该第二表面具有一第一区与一第二区；一掺杂层，位于该半导体基底的该第一表面，其具有该第一掺杂类型；一掺杂多晶硅层，设置于该半导体基底的该第二表面的该第一区上，且暴露出该半导体基底的该第二表面的该第二区；一掺杂区，设置于该半导体基底的该第二表面的该第二区中，其中该掺杂多晶硅层与该掺杂区其中一者具有一第二掺杂类型，而该掺杂多晶硅层与该掺杂区其中另一者具有该第一掺杂类型，且该第二掺杂类型相反于该第一掺杂类型；一绝缘层覆盖该掺杂多晶硅层与该掺杂区表面，并具有至少一第一开口暴露出部分该掺杂多晶硅层与至少一第...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈芃，梁硕玮，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：