【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及固体摄像装置、该固体摄像装置的制造方法和电子设备。
技术介绍
迄今为止，用于数码相机和摄像机等的固体摄像装置的例子包括CXD型固体摄像 装置和CMOS型固体摄像装置。在这些固体摄像装置中，在以二维矩阵形式形成的多个像素中的各像素形成有受光部，并且在该受光部中，根据接受的光的量而生成信号电荷。然后，在受光部中生成的信号电荷被传输并放大，从而获得了图像信号。在固体摄像装置中，为了减少光电二极管形成时的加工偏差从而防止由加工偏差导致的传输效率的降低，采用了通过自对准形成光电二极管的方法。另外，为了提高传输效率，在日本专利申请特开平11-126893号公报、日本专利申请特开2008-66480号公报以及日本专利申请特表2009-518850号公报(PCT申请的译文)中披露的专利技术中，已经提出了在传输栅极电极正下方堆叠形成构成光电二极管的电荷存储区域的方法。此外，在光电二极管中，为了抑制暗电流，一般的做法是在半导体基板的表面上形成导电型与电荷存储层相反的半导体区域。为了增强半导体区域中的用于抑制暗电流的钉扎效应，在日本专利申请特表2009-518850号公...
【技术保护点】
一种固体摄像装置，所述固体摄像装置包括传输栅极电极和光电转换部，所述传输栅极电极形成在半导体基板上；所述光电转换部包括：电荷存储区域，所述电荷存储区域在深度方向上是从所述半导体基板的表面侧形成的，所述电荷存储区域由第一导电型杂质区域形成，所述第一导电型杂质区域被形成为与所述传输栅极电极部分地重叠，传输辅助区域，所述传输辅助区域由第二导电型杂质区域形成，所述第二导电型杂质区域被形成为与所述传输栅极电极部分地重叠，并且所述传输辅助区域被形成在所述电荷存储区域的上层中，以及暗电流抑制区域，所述暗电流抑制区域是形成在所述传输辅助区域的上层中的第一暗电流抑制区域，并且所述第一暗电流抑...
【技术特征摘要】
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