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电荷快速转移的大尺寸四管有源像素传感器制造技术

技术编号:8162624 阅读:226 留言:0更新日期:2013-01-07 20:12
本发明专利技术涉及电荷快速转移像素传感器。为提高电荷转移的效率减小电荷残留,本发明专利技术采取的技术方案是,电荷快速转移的大尺寸四管有源像素传感器,包括钳位二极管区、传输管TG和复位管RST、源级跟随器SF、选通管SEL,钳位二极管区和传输管TG栅极均为U型结构,两U型结构的轴线重合、开口同向,传输管TG栅极设置在钳位二极管区U型结构的底部,传输管TG栅极设置与钳位二极管区U型结构的底部部分交叠;钳位二极管区沿U型结构的轴线朝向开口方向延长形成与U型结构两臂平行的延长区域,在二极管区U型结构的底部轴线附近及延长区域上依次设置有浮空扩散区FD、复位管RST的栅级、RST的漏级。本发明专利技术主要用于像素传感器设计制造。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种电荷快速转移的大尺寸四管有源像素传感器,包括钳位二极管区、传输管TG和复位管RST、源级跟随器SF、选通管SEL,其特征是,钳位二极管区和传输管TG栅极均为U型结构,两U型结构的轴线重合、开口同向,传输管TG栅极设置在钳位二极管区U型结构的底部,传输管TG栅极设置与钳位二极管区U型结构的底部部分交叠;钳位二极管区沿U型结构的轴线朝向开口方向延长形成与U型结构两臂平行的延长区域,在二极管区U型结构的底部轴线附近及延长区域上依次设置有浮空扩散区FD、复位管RST的栅级、RST的漏级。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐江涛李伟平高静姚素英史再峰高志远徐超
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:

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