一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统技术方案

一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，本发明专利技术将双断口隔离开关（1）直接与高压导体（9）相连并通过高压导体（9）连接至大功率电阻片（2），大功率电阻片（2）的中段位置直接通过上铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），大功率电阻片（2）的末端通过下铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），GIS外壳（5）直接接地（4），最终将VFTO脉冲（7）携带的残余电荷消耗吸收殆尽。本发明专利技术实现了GIS内部VFTO脉冲残余电荷消除，安装属于一体化安装，使用方便，具有占地面积小，安全可靠，效果明显等显著优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于GIS本体残余电荷测量、消除和无害化

技术介绍
GIS (Gas Insulated Switchgear,气体绝缘组合电器)作为加工エ艺复杂，安全性高，一直被用于电カ系统供电质量要求高的场合，实现尽可能的不间断供电，承担着大容量、大负荷的供电系统。然而GIS由于其内部充有SF6,体，该气体绝缘强度高，迄今为止绝缘性能最高的绝缘气体，虽然其绝缘性能強度，但随之带来的是SF6,体内部由于_离开关或断路器动作时产生高幅值的快速暂态过电压(VFTO, Very Fast TransientOvervoltage),这种VFTO脉冲波的前沿非常陆,其前沿多在IOns至几十ns之间。快前沿的脉冲虽然幅值没有雷电冲击电压高，但由于其前沿陡，导致其对电カ设备的影响方式也不同，面对常规绝缘结构设计，主要应对的是雷电电压水平，因而VFTO脉冲波的影响也越 严重。大量电カ生产经验表明，绕组类电气设备和二次类设备对与VFTO的防护较差，引起设备大量出现故障。因此，VFTO对与GIS的威胁非常严重。同时，随着VFTO陡波的出现，也给GIS本体带来了大量的残余电荷。这些残余电荷数本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，包括双断口隔离开关（1）、大功率电阻片（2）、上铁氧体磁环（3）、盆式绝缘子（6）、下铁氧体磁环（8），其特征是：双断口隔离开关（1）直接与高压导体（9）相连并通过高压导体（9）连接至大功率电阻片（2），大功率电阻片（2）的中段位置直接通过上铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），大功率电阻片（2）的末端通过下铁氧体磁环（3）连接至GIS外壳（5），GIS外壳（5）直接接地（4）。

【技术特征摘要】
1. 一种消除GISVFTO残余电荷的泄漏电阻系统，包括双断ロ隔离开关(I)、大功率电阻片(2)、上铁氧体磁环(3)、盆式绝缘子(6)、下铁氧体磁环(8)，其特征是双断ロ隔离开关(1)直接与高压导体(9)相连并通过高...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭向宇，杨卓，赵现平，王达达，王科，彭晶，张少泉，马仪，陈磊，徐肖伟，刘红文，马宏明，文斌，王振，
申请(专利权)人：云南电力试验研究院集团有限公司电力研究院，云南电网公司技术分公司，
类型：发明
国别省市：