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本发明涉及电荷快速转移像素传感器。为提高电荷转移的效率减小电荷残留，本发明采取的技术方案是，电荷快速转移的大尺寸四管有源像素传感器，包括钳位二极管区、传输管TG和复位管RST、源级跟随器SF、选通管SEL，钳位二极管区和传输管TG栅极均为U...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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