【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ー种CMOS图像传感器，尤其涉及ー种CMOS图像传感器列共享像素单元及像素阵列。
技术介绍
图像传感器已经广泛应用于数码相机、移动手机、医疗器械、汽车和其他应用场合。特别是CMOS (互补型金属氧化物半导体)图像传感器的快速发展，使人们对低功耗小尺寸高分辨率图像传感器有了更高的要求。现有技术中的CMOS图像传感器像素结构的排布方式以4T2S (四晶体管两个像素共享)为例，由于依赖于像素本身的结构特征，其像素阵列一般需要第I层金属，第2层金属和第3层金属作为器件互连线，相邻行像素间或相邻列像素间分别需要多行或多列第I层 金属、第2层金属或第3层金属连线；并且漂浮有源区与源跟随晶体管栅极相连接的金属电容寄生较大。上述现有技术至少包含以下缺点由于小面积像素传感器的感光面积小，灵敏度低，使得传递暗光下的信息不够清晰。尤其在使用第I层金属，第2层金属和第3层金属作为器件互连线时，光电ニ极管Si(硅)表面上的介质高度较高，金属连线阻挡了部分光线入射到光电ニ极管中；并且，漂浮有源区与源跟随晶体管栅极相连接的金属连线离电源金属连线较近，漂浮有源区电容寄生大，导致信...
【技术保护点】
一种CMOS图像传感器列共享像素单元，单个像素包括光电二极管、电荷传输晶体管、选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管、漂浮有源区及金属连线，其特征在于：由两个列像素作为一组像素单元，两个像素在列内共享选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭同辉，陈杰，刘志碧，旷章曲，唐冕，
申请(专利权)人：北京思比科微电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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