广视角像素结构及阵列基板制造技术

本发明专利技术提供一种广视角像素结构及阵列基板。广视角像素结构包括垂直设置的扫描线组和数据线组，以及由扫描线组和数据线组所形成的两个像素区，其中，扫描线组包括依次平行设置的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，数据线组包括平行设置的第一数据线和第二数据线；第一扫描线、第二扫描线、第一数据线和第二数据线形成第一像素区；第二扫描线、第三扫描线、第一数据线和第二数据线形成第二像素区；第一像素区包括第一主区和第一子区，第二像素区包括第二主区、第二子区和第一薄膜晶体管，第一子区与第二子区通过第一薄膜晶体管相连。在同样实现宽的视野角的前提下，上述结构可减少薄膜晶体管的数量，有利于实现高开口率。

Wide viewing angle pixel structure and array substrate

The invention provides a wide viewing angle pixel structure and an array substrate. Wide angle of the pixel structure comprises a scanning line group and data lines arranged vertically, and the two pixel area, formed by the scanning lines and data lines, scanning lines comprising a first scan line, followed by the second set of parallel scan lines and third scan lines, data lines including first data lines are arranged in parallel and second data lines; the first scanning line, a second scanning line, a first data line and second data lines forming a first pixel region; a second scan line, a third scanning line, a first data line and second data lines formed second pixel region; a first pixel region includes a first main region and a first sub region, second pixel area including the main area, second sub district second and the first thin film transistor, a first sub region and second sub areas are connected through a first thin film transistor. Under the premise of achieving a wide angle of view, the structure can reduce the number of thin film transistors and facilitate high aperture rate.

【技术实现步骤摘要】
广视角像素结构及阵列基板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种广视角像素结构及阵列基板。
技术介绍
垂直配向模式(VerticalAlignment，简称VA)显示以其宽的视野角、高对比度等优势，成为大尺寸TV用薄膜场效应晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystalDisplay，简称TFT-LCD)的常见模式。不同视野角下的色偏(ColorShift)现象是VA产品所面对的重大问题。为了解决大视角色偏的问题，通常的对策是采用8畴设计，即将一个像素分为2个区，称主区(main区)和子区(sub区)。在给电压的情况下每个区内的液晶有四个不同的倒向，通过使sub区的电压低于mian区，实现一个像素内的液晶有8种不同的倒向角度，从而实现宽的视野角。图1是常见的宽视角像素设计，101为数据线，201为扫描线，301为main区，401为sub区。图中有3颗薄膜场效应晶体管(ThinFilmTransistor，简称TFT)，其中2颗TFT用于为像素充电，1颗TFT用于为sub区放电，另外像素还包括一个共享电容(share电容)，用于实现sub与main区的不同电位。现有技术中的上述结构，对于每个像素需要使用3个TFT，为进一步减少TFT的使用，实现高开口率，亟需一种方法或结构来对上述结构进行改进。
技术实现思路
本专利技术提供一种广视角像素结构及阵列基板，用以解决现有技术中TFT数量多导致开口率不高的技术问题。本专利技术一方面提供一种广视角像素结构，包括：垂直设置的扫描线组和数据线组，以及由扫描线组和数据线组所形成的两个像素区，其中，扫描线组包括依次平行设置的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，数据线组包括平行设置的第一数据线和第二数据线；第一扫描线、第二扫描线、第一数据线和第二数据线形成第一像素区；第二扫描线、第三扫描线、第一数据线和第二数据线形成第二像素区；第一像素区包括第一主区和第一子区，第二像素区包括第二主区、第二子区和第一薄膜晶体管，第一子区与第二子区通过第一薄膜晶体管相连。进一步的，第一子区包括第二薄膜晶体管和第一子区像素电极，其中，第二薄膜晶体管的栅极与第一扫描线相连，第二薄膜晶体管的源极与第一数据线相连，第二薄膜晶体管的漏极分别与第一子区像素电极和第一薄膜晶体管的漏极相连。进一步的，第二子区包括第三薄膜晶体管和第二子区像素电极，第三薄膜晶体管的栅极与第二扫描线相连，第三薄膜晶体管的漏极与第二子区像素电极相连，第三薄膜晶体管的源极和第一薄膜晶体管的源极均与第二数据线相连，第一薄膜晶体管的栅极与第三扫描线相连。进一步的，第二主区包括第二主区像素电极和第四薄膜晶体管，其中，第四薄膜晶体管的栅极与第二扫描线相连，第四薄膜晶体管的漏极与第二主区像素电极相连，第四薄膜晶体管的源极与第二数据线相连。进一步的，第一主区包括第一主区像素电极和第五薄膜晶体管，其中，第五薄膜晶体管的栅极与第一扫描线相连，第五薄膜晶体管的源极与第一数据线相连，第五薄膜晶体管的漏极与第一主区像素电极相连。进一步的，第一子区像素电极与第二子区像素电极的极性相反。进一步的，第二主区像素电极与第二子区像素电极的极性相同。进一步的，第一主区像素电极与第一子区像素电极的极性相同。本专利技术另一方面提供一种阵列基板，包括：衬底基板以及上述所述的广视角像素结构，其中，广视角像素结构设置在衬底基板上。本专利技术提供的广视角像素结构及阵列基板，由于通过第一薄膜晶体管同时对第一子区和第二子区进行放电，第一子区或第二子区的放电不需要通过各自的薄膜晶体管分别与共享电容连接来实现，因此，上述结构不仅减少了薄膜晶体管数量，同时也减少了共享电容的使用，进一步提高了开口率。附图说明在下文中将基于实施例并参考附图来对本专利技术进行更详细的描述。其中：图1为现有技术中的宽视角像素结构的电路原理示意图；图2为本专利技术实施例提供的广视角像素结构的电路原理示意图；图3为本专利技术实施例提供的广视角像素结构示意图。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术作进一步说明。请参考图2和图3，本专利技术实施例提供一种广视角像素结构，包括：垂直设置的扫描线组和数据线组，以及由扫描线组和数据线组所形成的两个像素区，其中，扫描线组包括依次平行设置的第一扫描线11、第二扫描线12和第三扫描线13，数据线组包括平行设置的第一数据线21和第二数据线22；第一扫描线11、第二扫描线12、第一数据线21和第二数据线22形成第一像素区；第二扫描线12、第三扫描线13、第一数据线21和第二数据线22形成第二像素区；第一像素区包括第一主区1和第一子区2，第二像素区包括第二主区3、第二子区4和第一薄膜晶体管TFT1，第一子区2与第二子区4通过第一薄膜晶体管TFT1相连。第一扫描线11、第二扫描线12和第三扫描线13相互平行，且第二扫描线12位于第一扫描线11和第三扫描线13之间。第一像素区与第二像素区为上下相邻的两个像素区，第一子区2与第二子区4通过第一薄膜晶体管TFT1相连，第一薄膜晶体管TFT1对第一像素区和第二像素区中的第一子区2和第二子区4进行放电，降低其相对于公共线的电位，使在实际点灯时，第一主区1和第二主区3较亮，第一子区2和第二子区4较暗，使每一个像素区(第一像素区或第二像素区)都具有8种液晶倒向，从而实现宽的视野角。由于第一子区2与第二子区4通过第一薄膜晶体管TFT1相连，第一薄膜晶体管TFT1可实现同时对第一子区2与第二子区4进行放电，因此，在同样实现宽的视野角的前提下，上述结构可减少薄膜晶体管的数量，有利于实现高开口率。在本专利技术一个具体实施例中，第一子区2包括第二薄膜晶体管TFT2和第一子区像素电极20，其中，第二薄膜晶体管TFT2的栅极与第一扫描线11相连，第二薄膜晶体管TFT2的源极与第一数据线21相连，第二薄膜晶体管TFT2的漏极分别与第一子区像素电极20和第一薄膜晶体管TFT1的漏极相连。第一薄膜晶体管TFT1同时与第一子区2和第二子区4连接，因此可通过第一薄膜晶体管TFT1来同时对第一子区2和第二子区4放电，以使第一子区2和第二子区4的电位分别比第一主区1和第二主区3低，从而对于每一个像素区(第一像素区或第二像素区)，均可有8中液晶倒向，在实现宽的视野角的同时，减少薄膜晶体管的数量，实现高开口率。另外，由于使用上述结构对第一子区2和第二子区4进行放电，与现有技术相比，第一子区2或第二子区4的放电不需要通过与共享电容连接来实现，因此，上述结构也减少了共享电容的使用，进一步提高了开口率。在本专利技术另一个具体实施例中，第二子区4包括第三薄膜晶体管TFT3和第二子区像素电极40，第三薄膜晶体管TFT3的栅极与第二扫描线12相连，第三薄膜晶体管TFT3的漏极与第二子区像素电极40相连，第三薄膜晶体管TFT3的源极和第一薄膜晶体管TFT1的源极均与第二数据线22相连，第一薄膜晶体管TFT1的栅极与第三扫描线13相连。进一步的，第一子区像素电极20与第二子区像素电极40的极性相反。在本专利技术又一个具体实施例中，第二主区3包括第二主区像素电极30和第四薄膜晶体管TFT4，其中，第四薄膜晶体管TFT4的栅极与第二扫描线12相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种广视角像素结构，其特征在于，包括：垂直设置的扫描线组和数据线组，以及由所述扫描线组和所述数据线组所形成的两个像素区，其中，所述扫描线组包括依次平行设置的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，所述数据线组包括平行设置的第一数据线和第二数据线；所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述第一数据线和所述第二数据线形成第一像素区；所述第二扫描线、所述第三扫描线、所述第一数据线和所述第二数据线形成第二像素区；所述第一像素区包括第一主区和第一子区，所述第二像素区包括第二主区、第二子区和第一薄膜晶体管，所述第一子区与所述第二子区通过所述第一薄膜晶体管相连。

【技术特征摘要】
1.一种广视角像素结构，其特征在于，包括：垂直设置的扫描线组和数据线组，以及由所述扫描线组和所述数据线组所形成的两个像素区，其中，所述扫描线组包括依次平行设置的第一扫描线、第二扫描线和第三扫描线，所述数据线组包括平行设置的第一数据线和第二数据线；所述第一扫描线、所述第二扫描线、所述第一数据线和所述第二数据线形成第一像素区；所述第二扫描线、所述第三扫描线、所述第一数据线和所述第二数据线形成第二像素区；所述第一像素区包括第一主区和第一子区，所述第二像素区包括第二主区、第二子区和第一薄膜晶体管，所述第一子区与所述第二子区通过所述第一薄膜晶体管相连。2.根据权利要求1所述的广视角像素结构，其特征在于，所述第一子区包括第二薄膜晶体管和第一子区像素电极，其中，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第一扫描线相连，所述第二薄膜晶体管的源极与所述第一数据线相连，所述第二薄膜晶体管的漏极分别与所述第一子区像素电极和所述第一薄膜晶体管的漏极相连。3.根据权利要求2所述的广视角像素结构，其特征在于，所述第二子区包括第三薄膜晶体管和第二子区像素电极，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二扫描线相连，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述第二子区像素电极相连，所述第三薄膜晶体管的源极和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张蒙蒙，宋乔乔，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44