The invention discloses a pixel structure, including scanning lines and data lines and the scan lines and the data lines cross each define a pixel unit, the pixel unit comprises a pixel drive device, a common electrode line and the pixel electrode and the pixel electrode driving device through the pixel connected to the scan line and the data line, which is characterized in that the common electrode line and the pixel electrode arranged in different layers, the pixel electrode comprises a display area and a non display area surrounding the display area, wherein the public electrode line in the image is the projection of pixel electrode located in the non display within the region, the common electrode line and the pixel electrode of the storage capacitor is formed between the non display area. The invention also discloses an array substrate and a liquid crystal display panel including the pixel structure as described above.
【技术实现步骤摘要】
像素结构、阵列基板和液晶显示面板
本专利技术涉及显示器
,尤其涉及一种像素结构,还涉及包含该像素结构的阵列基板和液晶显示面板。
技术介绍
随着显示技术的发展,液晶显示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)已经成为最为常见的显示装置。其中,垂直排列(VerticalAlignment,VA)型液晶显示器因为具有视角宽、对比度高等优点,已成为市场上的主流产品。当前,随着客户对高画质的需求,需要发展更高对比度的LCD。高对比度意味着在白画面亮度不下降的情况下,尽可能降低背光一直打开时LCD黑画面的漏光现象,这一漏光依赖于背光设计,也依赖于液晶盒设计和偏光片设计。其中,液晶盒(Cell)中的像素结构对像素漏光具有重要影响。像素结构中通常包括像素电极和公共电极,像素电极和公共电极具有重叠部分形成存储电容,像素电极和公共电极通常都采用透明导电材料制备形成,公共电极相对位于像素电极下方,两者之间具有绝缘层。公共电极包括横向电极线和纵向电极线,横向电极线和纵向电极线的相互垂直设置,两者的交叉点位于像素结构的显示区域中。如上所述的像素结构会产生漏光,这种漏光主要是偏振光在经过部分金属电路元件(例如公共电极的横向电极线和纵向电极线)后部分透射光其偏振方向发生了一定的偏转。具体地,横向电极线和纵向电极线相互交叉的位置,两者的夹角通常为圆弧角(在结构设计时,该角度设计为直角,但是由于制造工艺的限制,实际制造获得的角度并不是严格的直角而是圆弧角),对于入射的偏振光,非水平/垂直方向的金属拐角或金属边缘会对其偏振产生影响,发生一种类似衍射的现象,使得部分光线的偏 ...
【技术保护点】
一种像素结构,包括扫描线和数据线,所述扫描线和所述数据线相互交叉限定像素单元,所述像素单元包括像素驱动器件、公共电极线和像素电极,所述像素电极通过所述像素驱动器件电连接至所述扫描线和所述数据线,其特征在于,所述公共电极线和所述像素电极呈异层结构设置,所述像素电极包括显示区域和环绕所述显示区域的非显示区域,所述公共电极线在所述像素电极上的正投影位于所述非显示区域之内,所述公共电极线与所述像素电极的非显示区域之间形成存储电容。
【技术特征摘要】
1.一种像素结构,包括扫描线和数据线,所述扫描线和所述数据线相互交叉限定像素单元,所述像素单元包括像素驱动器件、公共电极线和像素电极,所述像素电极通过所述像素驱动器件电连接至所述扫描线和所述数据线,其特征在于,所述公共电极线和所述像素电极呈异层结构设置,所述像素电极包括显示区域和环绕所述显示区域的非显示区域,所述公共电极线在所述像素电极上的正投影位于所述非显示区域之内,所述公共电极线与所述像素电极的非显示区域之间形成存储电容。2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述公共电极线在所述像素电极上的正投影位于所述非显示区域之内并且位于所述显示区域的相对的第一侧和第三侧,所述公共电极线沿着所述扫描线的长度方向延伸。3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述公共电极线在所述像素电极上的正投影位于所述非显示区域之内并且位于所述显示区域的相对的第二侧和第四侧,所述公共电极线沿着所述数据线的长度方向延伸。4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述公共电极线在所述像素电极上的正投影位于所述非显示区域之内并且位于所述显示区域的第一侧、第二侧、第三侧和第四侧,正投影位于所述显示区域的第一侧和第三侧的所述公共电极线沿着所述扫描线的长度方向延伸,正投影位于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈黎暄,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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