用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器制造技术

本申请公开了用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器。本文通常描述了用于最小化超薄IC封装的产品的系统、设备和方法的实施例。在一些实施例中，装置包括安装在封装基底上的IC，以及安装在封装基底上的电容性加强件子组件。电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件。

Pad side reinforced capacitors for ultra thin and other low Z products

A pad side reinforcement capacitor for realizing ultra-thin and other low Z products is disclosed herein. Embodiments of systems, devices, and methods for minimizing products in ultra thin IC packages are usually described in this article. In some embodiments, the device includes an IC mounted on the package substrate, and a capacitive reinforcing subassembly that is mounted on the package substrate. The capacitive reinforcement subassembly includes a plurality of capacitive elements electrically connected to the contacts of the IC.

【技术实现步骤摘要】
用于实现超薄和其他低Z产品的焊盘侧加强电容器
实施例关于集成电路（IC）的封装。一些实施例涉及减少IC封装的翘曲。背景存在对增加集成电路（IC）的功能和在更小的封装中提供这些越来越复杂的IC的持续需求。然而，使用这些IC的电子系统的制造可包括将经封装的IC暴露至环境压力。例如，电子系统的制造可包含组装经封装的IC和将经封装的IC结合到电子系统组件中的多个热循环。随着IC的封装的厚度减小，环境压力的不利影响可成为制造问题的主因。这些不利影响可包括可致使经封装的IC不能使用的变得畸形的经封装的IC。因此，存在对提供对环境影响更具鲁棒性的经封装的集成电路的系统和方法的一般需求。附图简述图1为用于最小化超薄IC封装的产品的翘曲的设备的示例的部分图示；图2为用于最小化超薄IC封装的产品的翘曲的另一设备的示例的部分图示；图3为超薄电子器件的另一示例的部分图示；以及图4示出了形成超薄IC封装的方法的示例的流程图。详细描述以下描述和附图充分地示出了具体实施例以使本领域技术人员能够实现它们。其他实施例可包含结构、逻辑、电气、工艺和其他变化。一些实施例的部分和特征可被包括在其他实施例的部分和特征中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成电路IC封装装置，包括：IC，所述IC安装在IC封装基底的第一侧上；焊料隆起焊盘，所述焊料隆起焊盘设置在所述IC封装基底的第二侧上；以及电容性加强件子组件，所述电容性加强件子组件安装在IC封装基底的第二侧上，其中所述电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件，并且所述电容性加强件子组件大体上围绕IC封装基底的周界设置。

【技术特征摘要】
2012.12.10 US 13/709,8241.一种集成电路IC封装装置，包括：IC，所述IC安装在IC封装基底的第一侧上；焊料隆起焊盘，所述焊料隆起焊盘设置在所述IC封装基底的第二侧上；以及电容性加强件子组件，所述电容性加强件子组件安装在IC封装基底的第二侧上，其中所述电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件，并且所述电容性加强件子组件大体上围绕IC封装基底的周界设置。2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述IC封装基底是无芯的。3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容性加强件子组件是单片的并且包括嵌入在陶瓷材料中的多个陶瓷元件。4.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述电容性加强件子组件是单片的并且包括嵌入在聚合物材料中的多个陶瓷元件。5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，其中所述焊料隆起焊盘被包括在球栅阵列电触点、平面网格阵列电触点或引脚网格阵列电触点中的至少一个中，以及其中所述电容性加强件子组件的高度低于球栅阵列电触点、平面网格阵列电触点或引脚网格阵列电触点中的至少一个的高度。6.如权利要求1-5中任一项所述的装置，其特征在于，电容性元件被包括在电连接至所述IC的触点的滤波电路中。7.一种集成电路IC封装装置，包括：IC，所述IC安装在IC封装基底的第一侧上；电子部件，所述电子部件安装在所述IC封装基底的第二侧上；以及电容性加强件子组件，其中所述电容性加强件子组件安装在所述IC封装基底的第二侧上，所述电容性加强件子组件包括电连接至IC的触点的多个电容性元件，并且所述电容性加强件子组件大体上围绕IC封装基底的周界设置。8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述电子部件包括电感器，以及所述IC包括射频集成电路(RFIC)。9.如权利要求1或7中任一项所述的装置，其特征在于，所述IC包括中央处理单元。10.一种用于形成集成电路IC封装的方法，包括：将IC设置在IC封装基底的顶侧上，...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·K·罗伊，M·J·曼努沙洛，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：美国,US