本发明提供一半导体元件及制造镶嵌结构中的金属绝缘金属电容的方法。一第一层间导电接孔形成于且穿过一层间介电层以及一介电蚀刻停止层。该介电蚀刻停止层设于该层间介电层之下，且该导电接孔接触设于该介电蚀刻停止层下的一第一内连接结构。一金属绝缘金...

本发明提供一种平坦化半导体结构的方法。提供一半导体基底，具有一第一区域及一第二区域，其中该第二区域的沟槽密度低于该第一区域。在该半导体基底上形成一第一介电层，以覆盖该第一及该第二区域的该沟槽。以特定的研磨浆进行一第一化学机械研磨，以降低...

本发明是有关于一种浸润式（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）微影系统与制程。此系统至少包括：具有前表面的成像透镜、位于成像透镜的前表面下方的基材平台、浸润液维持结构，此浸润液维持结构是设置来容纳第一流体，其中第一流体是至少部分地填充在前表面与基材平台...

本发明揭示一种封装体、封装方法、各异向性导电膜、及其所使用的导电粒子。上述封装体包含：一基底具有一外部接点于其上；一晶片具有一导电凸块，上述导电凸块置于上述基底的上述外部接点上；以及一各异向性导电膜置于上述基底与上述晶片之间，上述各异向...

本发明是有关于一种清洁光罩的方法，是用来清洁相位移光罩与其他光罩以及含钼表面。在一实施例中，借由准分子氙气雷射所产生的真空紫外光（ＶＵＶ）将氧气转变为臭氧，以用于第一清洁操作中。在真空紫外光／臭氧清洁之后，可进行湿式ＳＣ１化学清洁，且二...

一半导体元件，可如同一个二进制存储器元件或一多态存储器元件运行。也可如同一非易失性元件运行。半导体元件包括：衬底，具有主动表面；至少两个掺杂区，形成于主动表面之中；沟道区，定义于上述至少两个掺杂区之间；以及栅极结构，具有一特定宽度以及一...

本发明是有关于一种利用超临界流体处理的双镶嵌结构及其形成方法，该方法是提供一单一制程，以去除光阻同时避免及修补电浆蚀刻损伤，并且移除该介电层中的吸收水气。该方法包括提供一基底，包括一最上层的光阻层以及一开口延伸穿过一金属层间介电层的一厚...

本发明公开一种集成电路元件及其形成方法，该集成电路包括：导电材料，部分嵌入介电层开口，其中该导电材料的侧壁及底部被第一阻挡层包覆；以及第二阻挡层，其包覆导电材料的顶部；其中该导电材料及第一阻挡层侧壁凸出至预定高度，该预定高度高于介电层的...

一种使用纯Ｈ↓［２］Ｏ等离子体的原位实施方法，用来从基材或晶圆移除光阻层，而不会在基材或晶圆上累积电荷。以及，一种使用纯Ｈ↓［２］Ｏ等离子体或纯Ｈ↓［２］Ｏ蒸气的原位实施方法，用来从此基材或晶圆表面移除或释放经由一个或多个集成电路建构制...

本发明提供一种焊垫。上述焊垫包含一具导电性的导体－绝缘体复合层于一基底上。上述具导电性的导体－绝缘体复合层包含：一复合材质区，具有一导体部与相邻的一绝缘体部；以及一单一材质区相邻于上述复合材质区。上述具导电性的导体－绝缘体复合层中的绝缘...

本发明是有关于一种浸润式微影的方法及其光阻材料，其中此光阻材料包含聚合物、光酸产生剂以及抑制剂。聚合物与酸反应后，能溶解于碱性溶液中。光酸产生剂吸收辐射后，能分解形成酸。抑制剂能中和酸且流动性低。因此，此光阻材料能避免浸润式微影中的水纹...

本发明是有关一种涂布于光阻层上用于浸润式微影制程的涂布材料以及浸润式微影的方法。该涂布材料包含聚合物和酸，聚合物实质性不溶于浸润式流体，酸用以中和来自光阻层的碱性抑制剂（ｑｕｅｎｃｈｅｒ）。一种浸润式微影的方法，包含：形成一光阻层在一基...

本发明是有关于一种用以监测图案尺寸的系统与方法，其是用于具有一透明层以及一非透明图案的物件，该透明层是裸露于该图案，该非透明图案是与该透明层层压。根据此方法，其是将一第一光束投射于该图案上。侦测一第二光束，该第二光束是该第一光束通过裸露...

一种具有挖除有源区域的半导体结构以及制造半导体结构的方法。半导体结构包括第一隔离结构和第二隔离结构，而第一隔离结构和第二隔离结构之间具有有源区域，第一和第二隔离结构具有小于９０度的倾斜角的侧壁，通过挖除有源区域以增加沟道宽度以及装置的驱...

本发明提供一种ＳＯＮＯＳ栅极结构及其形成方法，所述ＳＯＮＯＳ栅极结构，包含：一具有侧壁的栅极图案位于一基底上，其中栅极图案包括一栅极介电层及一栅极电极；一氧化层结构位于基底上及栅极图案的侧壁，其中氧化层结构包括一相对较薄的部分位于基底上...

本发明是有关一种单一电晶体型和巨集电晶体型的半导体装置的制造方法与结构，是一种单一电晶体（１Ｔ－ＲＡＭ）型的随机存取记忆位元晶单元和其制造方法。其是提供一种ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ；金属／绝缘体／金属）电容结构...

本发明提供一种半导体装置，包括：基底；第一介电层位于上述基底上，其介电常数小于２．７；及第二介电层，位于上述第一介电层上；介层孔，位于上述第一介电层中；导线，填满于上述沟槽开口内，该导线并电性连接上述介层孔；第三介电层，位于上述第二介电...

本发明为一种可降低应力影响的半导体芯片以及包含该半导体芯片的封装及电子装置。该半导体芯片包括：一转角区域以及一中心区域；以及一排除区域，包括该转角区域，其中该转角区域的对角线长度大于该半导体芯片的对角线长度的约百分之一，其中一模拟电路位...

一种非易失性存储单元，包括半导体基板、浮动栅、第一电容、第二电容、第三电容以及晶体管。浮动栅设置于半导体基板上方。第一电容包括第一极板、浮动栅以及设置于第一极板与浮动栅之间的介电层。第二电容包括第二极板、浮动栅以及设置于第二极板与浮动栅...

本发明有关于一种浸润式微影方法及系统，该一种浸润式微影方法，首先，提供一个涂布光阻层的基板；之后，在基板和微影系统的物镜间配置导电浸润流体；最后，使用辐射光经由导电浸润流体，曝光光阻层。该一种浸润式微影系统，其包括：一物镜模组具有一前表...