互连线的结构及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种互连线的结构及其形成方法，该结构包括：一沟槽，形成于一介电层内；一阻挡层，形成于沟槽的侧壁上；以及一导电层，形成于沟槽内，其中导电层包括：一第一附属层，形成于阻挡层上，具有一第一杂质浓度；一第二附属层，形成于第一附属层上，具有一第二杂质浓度；以及一第三附属层，形成于第二附属层上，具有一第三杂质浓度，其中相邻的该第一、第二及第三附属层的杂质浓度比大于２。本发明专利技术能够在不增加成本也不影响元件性能的条件下有效减少铜膨胀造成的铜突起缺陷。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种互连线的结构，包括：一沟槽，形成于一介电层内；一阻挡层，形成于该沟槽的侧壁上；以及一导电层，形成于该沟槽内，其中该导电层的杂质浓度是多个高杂质浓度及多个低杂质浓度互相间隔，并且所述高杂质浓度与所述低杂质浓度之比大 于２。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈忠贤，林俊杰，蔡明兴，眭晓林，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]