半导体器件的多层金属布线及其形成方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的多层金属布线及其形成方法。该半导体器件的多层金属布线包括：下Ｃｕ布线；上Ａｌ布线，形成为与下Ｃｕ布线接触；和扩散阻挡层，夹置在下Ｃｕ布线和上Ａｌ布线之间。该扩散阻挡层由Ｗ基层形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种形成半导体器件的多层金属布线的方法，且更具体而言 涉及一种，该半导体器件包括用于 防止相互接触的上和下金属布线之间的相互金属扩散的扩散阻挡层。
技术介绍
对于高度集成的半导体器件，要求高速器件元件，从而存储器单元形成 为叠层结构。另外，将电信号运载到每个单元的金属布线也形成为多层结构。 铺设在多层结构中的金属布线提供了有利的设计灵活性，且允许在设定金属 布线电阻、电流容量等的余量上的更多的余地。通常而言，铝(AO由于其出色的导电性和易于用于制造工艺而成为金 属布线的选择。然而，由于半导体器件的高度集成而在更快速工作和要求更 低工作电压的产品中，铜(Cu)优于Al，因为Cu比Al具有相对低的电阻。然而，由于增加的制造费用和在高度集成的器件元件中可能存在的特定 不适当的特性，仅应用Cu作为形成为多层结构的所有金属布线的材料并不 是优选的。按照上述，当高速是重要时，Cu被用作多层结构中的金属布线 材料，而当速度相对不重要时则使用Al。同时，当在多层金属布线结构中Cu被用作下金属布线且Al被用作上金 属布线时，下和上金属布线之间的扩散阻挡层是需要的，从而防止金属布线 之间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的多层金属布线，包括：　　　　下Ｃｕ布线；　　　　上Ａｌ布线，形成于下Ｃｕ布线上方且电接触下Ｃｕ布线；和　　　　Ｗ基扩散阻挡层，形成于下Ｃｕ布线和上Ａｌ布线之间。

【技术特征摘要】
KR 2006-12-28 137204/061. 一种半导体器件的多层金属布线，包括下Cu布线；上Al布线，形成于下Cu布线上方且电接触下Cu布线；和W基扩散阻挡层，形成于下Cu布线和上Al布线之间。2、 根据权利要求1所述的半导体器件的多层金属布线，其中W基扩散 阻挡层包括WN层。3、 根据权利要求2所述的半导体器件的多层金属布线，其中WN层具 有50到200A的厚度。4、 根据权利要求1所述的半导体器件的多层金属布线，其中W基扩散 阻挡层包括W层和WN层的叠层。5、 根据权利要求4所述的半导体器件的多层金属布线，其中W层和 WN层的叠层具有50到300A的厚度。6、 根据权利要求1所述的半导体器件的多层金属布线，其中W基扩散 阻挡层包括WSiNy层。7、 根据权利要求6所述的半导体器件的多层金属布线，其中WSiNy层 具有50到200A的厚度。8、 根据权利要求1所述的半导体器件的多层金属布线，其中W基扩散 阻挡层包括WSix层和WSixNy层的叠层。9、 根据权利要求8所述的半导体器件的多层金属布线，其中WSix层和 WSixNy层的叠层具有50到300A的厚度。10、 根据权利要求1所述的半导体器件的多层金属布线，其中上A1布 线层包括形成于扩散阻挡层上的Al成核生长层。11、 根据权利要求10所述的半导体器件的多层金属布线，其中A1成核 生长层具有50到500A的厚度。12、 一种半导体器件的多层金属布线的形成方法，包括 在半导体基板上方形成下Cu布线； 在下Cu布线上形成W基扩散阻挡层；和在包括W基扩散阻挡层的下Cu布线上方来形成上Al布线。13、 根据权利要求12的半导体器件的多层金属布线的形成方法，其中W基扩散阻挡层包括WN层。14、 根据权利要求13的半导体器件的多层金属布线的形成方法，其中 WN层具有50到200A的厚度。15、 根据权利要求13的半导体器件的多层金属布线的形成方法，其中 WN层以ALD方法或CVD方法形成。16、 根据权利要求13的半导体器件的多层金属布线的形成方法，其中 WN层在200到400。C的范围的温度和1到40Torr的范围的压力的条件下形 成。17、 根据权利要求12的半导体器件的多层金属布线的形成方法，其中 W基扩散阻挡层包括W层和WN层的叠层。18、 根据权利要求17的半导体器件的多层金属布线的形成方法，其中 W层和WN层的叠层具有50到300A的厚度。19、 根据权利要求17的半导体器件的多层金属布线的形成方法，其中 W层和WN层的叠层通过沉积W层和氮化W层的表面来形成。20、 根据权利要求17的半导体器件的多层金属布线的形成方法，其中 W层以ALD方法或CVD方法沉积。21、 根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：金秀贤，金满，李荣镇，郑东河，金鼎泰，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]