【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件，该器件包括硅本体，硅本体的一侧设有若干层状的导线分布图，其中，至少一层导线分布图是由铝层和毗邻铝层且位于铝层与硅本体之间的导电接触层构成。从《IBM(国际商业机器公司)技术公开公报》第18卷，第6期，第1845-6页(1975年11月)中可以了解到本专利技术开端所述的那种半导体器件，还可参看《固体薄膜》第125卷，第335-340页(1985)。在该已知的半导体器件中，所述导线分布图邻接硅本体，接触层由例如铪构成。我们知道，这种结构由于硅表面上形成凹坑和浅pn结的短路，因而具有很大的缺点。本专利技术的主要目的是至少在很大程度上避免这些缺点。按照本专利技术，本说明书开端所述的那种半导体器件具有这样的特点在硅本体的所述一侧，硅本体的表面邻接第一导线分布图，该导线分布图形成了阻止硅从硅本体迁移入导线分布图的阻挡层，且第一导线分布图邻接上述第二导线分布图，且由接触层和铝层构成，接触层则由铪、钛和锆中至少一种元素组成。本专利技术特别是基于这样的认识提出的，即，上述已知半导体器件的缺点是由铪、钛或锆构成的接触层一方面与硅本体直接接触，另一方...
【技术保护点】
一种半导体器件，它包括硅本体，硅本体的一侧设有若干层状的导线分布图，其中至少一个导线分布图是由铝层和毗邻铝层且位于铝层与硅本体之间的导电接触层构成，其特征在于，在硅本体的所述一侧，硅本体的表面邻接第一导线分布图，该导线分布图形成了阻止硅 从硅本体迁移入导线分布图的阻挡层，且第一导线分布图邻接上述第二导线分布图，且由接触层和铝层构成，接触层则由铪、钛和锆其中至少一种元素构成。
【技术特征摘要】
NL 1989-1-4 89000101.一种半导体器件，它包括硅本体，硅本体的一侧设有若干层状的导线分布图，其中至少一个导线分布图是由铝层和毗邻铝层且位于铝层与硅本体之间的导电接触层构成，其特征在于，在硅本体的所述一侧，硅本体的表面邻接第一导线分布图，该导线分布图形成了阻止硅从硅本体迁移入导线分布图的阻挡层，且第一导线分布图邻接上述第二导线分布图，且由接触层和铝层构成，接触层则由铪、钛和锆其中至少一种元素构成。2.如权利要求1所述的半导体本体，其特征在于，第一导线分布图由钨层构成。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，第一导线分布图由一层含钛化合物的薄层和一层含铝的薄层构成。4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，含钛化合物的薄层由含氮的钛钨合金或双层硅化钛和氮化钛构成。5.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，含铝...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊沃约翰内斯梅蒂尔迪斯玛丽亚拉伊，
申请(专利权)人：菲利浦光灯制造公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]
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