低温烧结介电组合物以及由其形成的多层陶瓷电容器制造技术

提供一种低温烧结介电组合物以及由其形成的多层陶瓷电容器，所述低温烧结介电组合物包括作为主要成分的钛酸钡(BaTiO3)和辅助成分，所述辅助成分基于100mol％的主要成分包括1.0mol％至2.0mol％的碳酸钡(BaCO3)、0.5mol％至1.0mol％的从由Y2O3、Ho2O3、Dy2O3和Yb2O3组成的组中选择至少一种的稀土氧化物、0.1mol％至1.0mol％的氧化锰(MnO)和1.0mol％至2.0mol％的硼硅酸盐基玻璃。

【技术实现步骤摘要】
本申请要求于2014年12月16日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0181526号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用包含于此。
本公开涉及一种低温烧结介电组合物以及由其形成的多层陶瓷电容器。更具体地，本公开涉及一种能够实现X7R温度特性的低温烧结介电组合物以及由其形成的多层陶瓷电容器。
技术介绍
能够确保稳定的电气性能和器件稳定操作的可靠性的X5R或X7R型多层陶瓷电容器的发展已经变成电子器件市场的一种必然，纤薄和高电压容量已经同时被看作是发展对应多层陶瓷电容器的重要因素。纤薄和高电压容量增加了施加到介电主体的电场的强度，这使DC偏置特性和耐压特性劣化，且精细结构中的缺陷在诸如击穿电压(BDV)和高温特性(高温绝缘电阻(IR))的耐压特性上有明显更大的影响。为了解决上述问题，必须要雾化(atomize)基底材料。然而，在雾化基底材料的情况下，由于可能难以实现产品的电容特性和温度特性，因此会难以开发介电组合物。为了解决该问题，当开发产品时，对介电基底材料粉末与添加成分的开发、设置、内电极以及热处理的整个过程进行全面地改善和开发十分重要。在上述中，开发在多层陶瓷电容器的特性中起关键作用的添加剂尤其重要。作为多层陶瓷电容器的介电材料，已经主要使用钛酸钡(BaTiO3)，且为了改善介电特性和可靠性，各种添加粉末可混合或添加到该基底材料粉末。根据相关技术，作为主要成分的包含{Ba1-xCaxO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温烧结介电组合物，包括：作为主要成分的钛酸钡和辅助成分，其中，所述辅助成分基于100mol％的主要成分包括1.0mol％至2.0mol％的碳酸钡、0.5mol％至1.0mol％的稀土氧化物、0.1mol％至1.0mol％的氧化锰和1.0mol％至2.0mol％的硼硅酸盐基玻璃，所述稀土氧化物是从由Y2O3、Ho2O3、Dy2O3和Yb2O3组成的组中选择的至少一种。

【技术特征摘要】
2014.12.16 KR 10-2014-01815261.一种低温烧结介电组合物，包括：
作为主要成分的钛酸钡和辅助成分，
其中，所述辅助成分基于100mol％的主要成分包括1.0mol％至2.0mol％
的碳酸钡、0.5mol％至1.0mol％的稀土氧化物、0.1mol％至1.0mol％的氧化锰
和1.0mol％至2.0mol％的硼硅酸盐基玻璃，
所述稀土氧化物是从由Y2O3、Ho2O3、Dy2O3和Yb2O3组成的组中选择的
至少一种。
2.根据权利要求1所述的低温烧结介电组合物，其中，所述碳酸钡与硼
硅酸盐基玻璃之间的比在0.5至2.0的范围内。
3.根据权利要求2所述的低温烧结介电组合物，其中，所述碳酸钡与硼
硅酸盐基玻璃之间的比在0.5至1.5的范围内。
4.根据权利要求1所述的低温烧结介电组合物，其中，钛酸钡的平均粒
径是100nm至200nm。
5.根据权利要求1所述的低温烧结介电组合物，其中，所述硼硅酸盐基
玻璃包含作为基本成分的氧化钡和氧化硅，并且还包含碱性硼硅酸盐基玻璃，
所述碱性硼硅酸盐基玻璃包含碱性氧化物以及碱土金属氧化物和碱土金属氟
化物中的至少一种，
当硼硅酸盐基玻璃的各个成分的摩尔数之和是100时，氧化钡的含量是
10至30，氧化硅的含量是50至80，碱性氧化物的含量是2至10，碱土金属
氧化物的含量是0至30，碱土金属氟化物的含量是1至5。
6.根据权利要求1所述的低温烧结介电组合物，其中，在1000℃至1100℃
的...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪旻熙，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR