【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种电容器瓷料，特别是片式多层瓷介电容器瓷料。随着表面安装技术(SMT)的发展，电子电路的小型化要求片式多层瓷介电容器具有更大的比率容量，其根本是进一步提高瓷料的介电常数。而BaTiO3晶体是一种典型的铁电材料，以其为基的铁电瓷料具有很高的介电常数，是目前优质低频大容量电容器的主要介质，它通常是以等价离子(如Sr2+、pb2+、Ca2+、Zr4+、Sn4+等)对A、B位离子的置换取代，合理地调整和利用置换离子的移动、重叠和展宽等效应，使瓷料具有一定的介电特性，达到一定的使用要求。为了提高瓷料的介电常数，近期国外开发并利用同时掺杂高低价施、受主的复合改性机制，使BaTiO3基铁电瓷料在中低温烧结，形成致密的细晶结构，具有很高的介电常数，如日本富士钛公司的YF153瓷料。但上述国外瓷料价格昂贵，生产电容器成本较高；直接采用上述国外的复合改性机制生产瓷料，需采用进口原材料，成本仍然很高。本专利技术的目的是针对现有技术的不足，提供一种高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料，其原材料立足国产化，瓷料具有很高的介电常数，综合性能达到国际先进水平，成本仅为进口的三分之一。本专利技术是采用固相法合成等介和异价离子同时取代的BaTiO3基固溶体，加入适量的硼铅锌铜玻璃烧结剂，使瓷料在中温下形成固液的活化烧结，烧成后具备高介电常数。本专利技术的配方组成(重量百分比)为主晶相A86～98％，助烧剂B2～10％，其中主晶相A的组成(重量百分比)为BaCO360～72％TiO215～25％SrCO32～6％ZrO32～5％SnO22～5％Nb2O50.5～2％...
【技术保护点】
一种高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料，其特征是其配方组成（重量百分比）为：主晶相Ａ ８６～９８％助烧剂Ｂ ２～１０％其中主晶相Ａ的组成（重量百分比）为：ＢａＣＯ↓［３］ ６０～７２％ＴｉＯ↓［２］ １５～２５％ ＳｒＣＯ↓［３］ ２～６％ＺｒＯ↓［３］ ２～５％ＳｎＯ↓［２］ ２～５％Ｎｂ↓［２］Ｏ↓［５］ ０．５～２％助烧剂Ｂ的组成（重量百分比）为：ＰｂＯ ６０～７１％ＣｕＯ １６～２５％Ｈ↓［３］ＢＯ↓［３］ ８～ １５％ＺｎＯ ０．５～２％Ｌａ↓［２］Ｏ↓［３］ ０．５～２％。
【技术特征摘要】
1.一种高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料.其特征是其配方组成(重量百分比)为主晶相A 86～98％助烧剂B 2～10％其中主晶相A的组成(重量百分比)为BaCO360～72％TiO215～25％SrCO32～6％ZrO32～5％SnO22～5％Nb2O50.5～2％助烧剂B的组成(重量百分比)为PbO 60～71％CuO 16～25％H3BO38～15％ZnO 0.5～2％La2O30.5～2％2.根据权利要求1所述的高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料，其特征是其配方组...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈绍茂，葛培盛，郭育源，陈锦清，江涛，
申请(专利权)人：广东肇庆风华电子工程开发有限公司，
类型：发明
国别省市：44[中国|广东]
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