高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料制造技术

技术编号:3121792 阅读:235 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料,它是采用固相法合成等价和导价离子同时取代的BaTiO↓[3]基固液体,加入适量的硼铅锌铜玻璃烧结剂,使瓷料在中温下形成固液的活化烧结,烧成后具备高介电常数,综合性能达到国际先进水平,原材料全部国产化,成本仅为进口的三分之一。(*该技术在2017年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电容器瓷料,特别是片式多层瓷介电容器瓷料。随着表面安装技术(SMT)的发展,电子电路的小型化要求片式多层瓷介电容器具有更大的比率容量,其根本是进一步提高瓷料的介电常数。而BaTiO3晶体是一种典型的铁电材料,以其为基的铁电瓷料具有很高的介电常数,是目前优质低频大容量电容器的主要介质,它通常是以等价离子(如Sr2+、pb2+、Ca2+、Zr4+、Sn4+等)对A、B位离子的置换取代,合理地调整和利用置换离子的移动、重叠和展宽等效应,使瓷料具有一定的介电特性,达到一定的使用要求。为了提高瓷料的介电常数,近期国外开发并利用同时掺杂高低价施、受主的复合改性机制,使BaTiO3基铁电瓷料在中低温烧结,形成致密的细晶结构,具有很高的介电常数,如日本富士钛公司的YF153瓷料。但上述国外瓷料价格昂贵,生产电容器成本较高;直接采用上述国外的复合改性机制生产瓷料,需采用进口原材料,成本仍然很高。本专利技术的目的是针对现有技术的不足,提供一种高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料,其原材料立足国产化,瓷料具有很高的介电常数,综合性能达到国际先进水平,成本仅为进口的三分之一。本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料,其特征是其配方组成(重量百分比)为:主晶相A 86~98%助烧剂B 2~10%其中主晶相A的组成(重量百分比)为:BaCO↓[3] 60~72%TiO↓[2] 15~25% SrCO↓[3] 2~6%ZrO↓[3] 2~5%SnO↓[2] 2~5%Nb↓[2]O↓[5] 0.5~2%助烧剂B的组成(重量百分比)为:PbO 60~71%CuO 16~25%H↓[3]BO↓[3] 8~ 15%ZnO 0.5~2%La↓[2]O↓[...

【技术特征摘要】
1.一种高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料.其特征是其配方组成(重量百分比)为主晶相A 86~98%助烧剂B 2~10%其中主晶相A的组成(重量百分比)为BaCO360~72%TiO215~25%SrCO32~6%ZrO32~5%SnO22~5%Nb2O50.5~2%助烧剂B的组成(重量百分比)为PbO 60~71%CuO 16~25%H3BO38~15%ZnO 0.5~2%La2O30.5~2%2.根据权利要求1所述的高介高性能中温烧结片式多层瓷介电容器瓷料,其特征是其配方组...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈绍茂葛培盛郭育源陈锦清江涛
申请(专利权)人:广东肇庆风华电子工程开发有限公司
类型:发明
国别省市:44[中国|广东]

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