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本发明公开了一种半导体器件的多层金属布线及其形成方法。该半导体器件的多层金属布线包括：下Ｃｕ布线；上Ａｌ布线，形成为与下Ｃｕ布线接触；和扩散阻挡层，夹置在下Ｃｕ布线和上Ａｌ布线之间。该扩散阻挡层由Ｗ基层形成。...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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