形成导体层的方法及使用导电层制备多层布线基板的方法技术

本发明专利技术涉及用于形成导体层的方法，其中，在对聚酰亚胺膜的聚酰亚胺层(a)的表面进行聚酰亚胺蚀刻处理以去除聚酰亚胺层(a)——其中所述聚酰亚胺层(a)设置在聚酰亚胺层(b)的一个或两个表面上——的至少一部分之后，在所述表面上形成导体层。所述用于形成导体层的方法的特征在于，使用由所示式定义的t(min)表示的聚酰亚胺蚀刻处理时间T(min)在0.2t≤T≤5t的范围内。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于形成导体层的方法，其中导体层例如金属在聚酰亚胺膜的表面形成，以及使用所述导体层制备多层布线基板的方法。
技术介绍
芳香族聚酰亚胺膜具有优异的各种特性，如耐热性、尺寸稳定性，电性能和阻燃性，以及还具有可挠性，且因此其已被广泛地用于柔性印刷电路板(FPC)、TAB基板、COF基板等。包含聚酰亚胺膜的多层FPC例如通过将待成为绝缘层的聚酰亚胺膜经粘结片层压到待成为绝缘基板的具有在聚酰亚胺膜上形成的铜布线层的线路板上，然后在其表面上形成铜布线层而制备。由于聚酰亚胺膜在处理/制造过程中具有较高的操作性，并且其中金属层被层压在聚酰亚胺膜上的层压体具有较高的尺寸准确性，因此具有较高的刚度和较低的热膨胀系数的聚酰亚胺膜是优选的。另一方面，所述聚酰亚胺膜趋向于对金属层具有较低的粘结性，因此可能无法实现足够的剥离强度。在各种聚酰亚胺中，特别地，具有高化学稳定性且强劲的聚酰亚胺，几乎不受外部操作影响，并因此与化学敏感性的聚酰亚胺相比，具有几乎不具有足够的剥离强度的问题。形成有布线层的绝缘层的表面可能需要进行粗糙化处理以实现为机械联接的锚定效果，或其他处理以提高物理或化学相互作用，从而确保对在其上形成的布线层(通常为金属层)的粘结。作为提高聚酰亚胺膜对金属的粘结性的方法，提出一种其中在膜制备过程中使用基于氨基硅烷、基于环氧硅烷，或基于钛酸酯的耐热表面处理剂的方法(专利文献1)。此外，还提出一种其中聚酰亚胺膜的表面用含有高锰酸钾和/或高锰酸钠，以及氢氧化钾和/或氢氧化钠的水溶液处理的方法(专利文献2)。此外，还提出了一种聚酰亚胺膜：其中含有耐热表面处理剂的无定形的聚酰亚胺层在具有较高的刚度和较低的热膨胀系数的聚酰亚胺形成的芯层的至少一个表面上形成的(专利文献3)，以及一种用于金属化的聚酰亚胺膜，其具有在聚酰亚胺层的一个表面或两个表面上由某一聚酰亚胺形成且含有耐热表面处理剂的薄层(专利文献4)。另外，还提供了一种电镀有由“聚合物膜/含有结晶热塑性树脂的电镀形成层”组成的树脂材料的层压体，所述层压体由“聚合物膜/含有结晶热塑性树脂的电镀形成层/镀层”形成(专利文献5)。在多层FPC的布线层之间的连接是通过在为绝缘层的聚酰亚胺膜中形成通路，并用金属电镀所述通路的内部实现的。如上所述的通路的形成是通过激光等进行的。在其中的树脂残留物(污物)不可避免地残留在所述通路的底部，因此去污处理来去除所述污物是不可缺少的。所述去污处理通常是通过其中高锰酸盐等的碱性水溶液进行化学蚀刻的方法进行的。通过去污处理，具有如上所述而提高的粘结性的聚酰亚胺膜的表面可能会受到影响，并因此可能无法实现足够的粘结性，或聚酰亚胺膜的表面的均匀性可能受到损害，并由此当在其上形成精细电路时，电可靠性可能降低。文献目录专利文献专利文献1：JP-A-H03-159737专利文献2：JP-A-2002-293965专利文献3：JP-A-2005-272520专利文献4：WO2007/123161专利文献5：WO2009/075212
技术实现思路
技术问题本专利技术的一个目的是提供一种用于在聚酰亚胺膜上形成导体层的方法，其中所述导体层具有优良的初始剥离强度，并且在高温条件或高湿度条件下储存后还具有较小的剥离强度的降低。本专利技术的另一个目的是提供一种制备多层布线基板的方法，所述方法包括以下步骤：将聚酰亚胺膜层压到其中在绝缘基板上形成有导体布线图案的印刷布线板上；形成从所述聚酰亚胺膜的表面到所述导体布线图案的通路；进行去污处理；然后在聚酰亚胺膜的全部或部分表面上并且所述通路内形成导体层，其中在所述聚酰亚胺上形成的所述导体层具有优异的剥离强度，且还具有在高温条件下或高湿度条件下储存后较小的剥离强度的降低。解决技术问题的方案本专利技术涉及以下项。[1]一种用于形成导体层的方法，所述方法包括以下步骤：将其中形成有聚酰亚胺层(a)的聚酰亚胺膜的表面进行聚酰亚胺蚀刻处理，以去除所述聚酰亚胺层(a)的至少一部分，其中所述聚酰亚胺膜具有在聚酰亚胺层(b)的一个表面或两个表面上形成的所述聚酰亚胺层(a)；然后在所述表面上形成导体层，其中使用由下面描述的公式定义的t(min)表示聚酰亚胺蚀刻处理时间T(min)，所述聚酰亚胺蚀刻处理时间在0.2t≤T≤5t的范围内。[2]如[1]中所述的用于形成导体层的方法，其中所述聚酰亚胺层(b)基本上由使用90mol％或更多的量的3，3′，4，4′-联苯四羧酸组分作为四羧酸组分，以及90mol％或更多的量的4，4′-二氨基二苯基醚和/或对苯二胺作为二胺成分得到的聚酰亚胺组成，并且所述聚酰亚胺层(a)基本上由使用3，3′，4，4′-联苯四羧酸化合物、2，3，3′，4′-联苯四羧酸化合物、苯均四酸化合物或选自这些化合物的多个化合物作为四羧酸组分，和对苯二胺，4，4′-二氨基二苯基醚，4，4′-二氨基二苯甲烷，2，2-双(4-氨基苯基)丙烷，1，3-双(4-氨基苯氧基苯)，1，4-双(4-氨基苯氧基)苯，4，4′-双(4-氨基苯基)二苯基醚，4，4′-双(4-氨基苯基)二苯基甲烷，4，4′-双(4-氨基苯氧基)二苯基醚，4，4′-双(4-氨基苯氧基)二苯基甲烷，2，2-双[4-(氨基苯氧基)苯基]丙烷，或这些化合物中的多个化合物作为二胺组分而得到的聚酰亚胺组成，条件为，排除使用90mol％或更多的量的3，3′，4，4′-联苯四羧酸化合物作为四羧酸组分，以及90mol％或更多的量的4，4′-二氨基二苯基醚和/或对苯二胺作为二胺组分而得到的聚酰亚胺。[3]如[1]或[2]中所述的用于形成导体层的方法，其中所述聚酰亚胺层(a)含有由包含氨基硅烷化合物、环氧硅烷化合物、铝化合物或钛酸酯化合物中的任何一种或多种的聚酰亚胺前体组合物得到的聚酰亚胺。[4]如[1]至[3]中任一项所述的用于形成导体层的方法，其中用聚酰亚胺蚀刻溶液对组成聚酰亚胺层(b)的聚酰亚胺的化学蚀刻速率比用所述聚酰亚胺蚀刻溶液对组成聚酰亚胺层(a)的聚酰亚胺的化学蚀刻速率低。[5]如[1]至[4]中任一项所述的用于形成导体层的方法，其中所述聚酰亚胺层(b)的厚度为1μm-100μm，以及所述聚酰亚胺层(a)的厚度为0.05μm-5μm。[6]如[1]至[5]中任一项所述的用于形成导体层的方法，其中所述聚酰亚胺膜是通过下述步骤得到的聚酰亚胺膜：将待形成所述聚酰亚胺层(a)的聚酰亚胺前体溶液施加到由待形成所述聚酰亚胺层(b)的聚酰亚胺前体溶液得到的自支撑膜的至少一个表面；然后将所述膜在350℃至600℃的温度下进行热处理。[7]如[1]至[6]中任一项所述的用于形成导体层的方法，其中所述聚酰亚胺蚀刻处理是用聚酰亚胺蚀刻溶液进行的湿蚀刻处理，或通过等离子体处理而进行的干蚀刻处理。[8]如[1]至[7]中任一项所述的用于形成导体层的方法，其中作为所述导体层的金属膜层是通过化学镀在所述聚酰亚胺膜的表面上形成的。[9]一种用于制备多层布线基板的方法，所述方法包括以下步骤：将聚酰亚胺膜层压到印刷布线板上，其中在绝缘基板上形成导体布线图案；形成从所述聚酰亚胺膜的表面到所述导体布线图案的通路；进行去污处理；然后在所述聚酰亚胺膜的整个或部分表面上并且所述通路内形成导体层，其中，所述聚酰亚胺膜是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成导体层的方法，所述方法包括以下步骤：将形成有聚酰亚胺层(a)的聚酰亚胺膜的表面进行聚酰亚胺蚀刻处理，以去除聚酰亚胺层(a)的至少一部分，其中所述聚酰亚胺膜具有在聚酰亚胺层(b)的一个表面或两个表面上形成的所述聚酰亚胺层(a)；然后在所述表面上形成导体层，其中使用由下面描述的公式定义的t(min)表示聚酰亚胺蚀刻处理时间T(min)，所述聚酰亚胺蚀刻处理时间在0.2t≤T≤5t的范围内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.01.22 JP 2014-009121;2014.01.22 JP 2014-009121.一种用于形成导体层的方法，所述方法包括以下步骤：将形成有聚酰亚胺层(a)的聚酰亚胺膜的表面进行聚酰亚胺蚀刻处理，以去除聚酰亚胺层(a)的至少一部分，其中所述聚酰亚胺膜具有在聚酰亚胺层(b)的一个表面或两个表面上形成的所述聚酰亚胺层(a)；然后在所述表面上形成导体层，其中使用由下面描述的公式定义的t(min)表示聚酰亚胺蚀刻处理时间T(min)，所述聚酰亚胺蚀刻处理时间在0.2t≤T≤5t的范围内。2.根据权利要求1所述的用于形成导体层的方法，其中所述聚酰亚胺层(b)基本上由使用90mol％或更多的量的3，3′，4，4′-联苯四羧酸组分作为四羧酸组分，以及90mol％或更多的量的4，4′-二氨基二苯基醚和/或对苯二胺作为二胺成分得到的聚酰亚胺组成，并且所述聚酰亚胺层(a)基本上由使用3，3′，4，4′-联苯四羧酸化合物、2，3，3′，4′-联苯四羧酸化合物、均苯四酸化合物，或选自这些化合物的多个化合物作为四羧酸组分，以及对苯二胺，4，4′-二氨基二苯基醚，4，4′-二氨基二苯甲烷，2，2-双(4-氨基苯基)丙烷，1，3-双(4-氨基苯氧基苯)，1，4-双(4-氨基苯氧基)苯，4，4′-双(4-氨基苯基)二苯基醚，4，4′-双(4-氨基苯基)二苯基甲烷，4，4′-双(4-氨基苯氧基)二苯基醚，4，4′-双(4-氨基苯氧基)二苯基甲烷，2，2-双[4-(氨基苯氧基)苯基]丙烷，或选自这些化合物的多个化合物作为二胺组分而得到的聚酰亚胺组成，条件为，排除使用90mol％或更多的量的3，3′，4，4′-联苯四羧酸化合物作为四羧酸组分，以及90mol％或更多的量的4，4′-二氨基二苯基醚和/或对苯二胺作为二胺组分而得到的聚酰亚胺。3.根据权利要求1或2所述的用于形成导体层的方法，其中所述聚酰亚胺层(a)含有由包含氨基硅烷化合物、环氧硅烷化合物、铝化合物或钛酸酯化合物中的任何一种或多种的聚酰亚胺前体组合物得到的聚酰亚胺。4.根据权利要求1至3中任一项所述的用于形成导体层的方法，其中用聚酰亚胺蚀刻溶液对组成聚酰亚胺层(b)的聚酰亚胺的化学蚀刻速率比用所述聚酰亚胺蚀刻溶液对组成聚酰亚胺层(a)的聚酰亚胺的化学蚀刻速率低。5.根据权利要求1-4中任一项所述的用于形成导体层的方法，其中所述聚酰亚胺层(b)的厚度为1μm-100μm，且所述聚酰亚胺层(a)的厚度为0.05μm-5μm。6.根据权利要求1至5中任一项所述的用于形成导体层的方法，其中所述聚酰亚胺膜是通过下述步骤得到的聚酰亚胺膜：将待形成所述聚酰亚胺层(a)的聚酰亚胺前体溶液施加到由待形成所述聚酰亚胺层(b)的聚酰亚胺前体溶液得到的自支撑膜的至少一个表面；然后将所述膜在350℃至600℃的温度下进行热处理。7.根据权利要求1至6中任一项所述的用于形成导体层的方法，其中所述聚酰亚胺蚀刻处理是用聚酰亚胺蚀刻溶液进行的湿蚀刻处理，或通过等离子体处理而进行的干蚀刻处理。8.根据权利要求1至7中任一项所述的用于形成导体层的方法，其中作为所述导体层的金属膜层是通过化学镀在所述聚酰亚胺膜的表面上形成的。9.一种用于制备多层布线基板的方法，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦彻，番场啓太，幸田政文，横沢伊裕，
申请(专利权)人：宇部兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP