【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体技术，特别涉及一种具有金属栅极结构以及栅极电极的半导体装置。
技术介绍
1、由于各种电子元件(例如：晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的积集密度不断提高，半导体集成电路产业经历了快速成长。在大多数情况下，积集密度的提高源自于最小部件尺寸的缩小，以允许更多元件可被整合到给定的区域中。
技术实现思路
1、本公开提供一种半导体装置，包括半导体鳍片、多个栅极间隔物、金属栅极结构和栅极电极；多个栅极间隔物在所述半导体鳍片上方；金属栅极结构在所述半导体鳍片上方且夹设于所述栅极间隔物之间；栅极电极设置在所述金属栅极结构之上且与所述金属栅极结构电性接触；其中所述栅极电极从所述金属栅极结构的顶表面以及所述栅极间隔物的顶表面延伸远离。
2、根据本公开的一些实施方式，还包括：
3、一黏合金属，垂直设置在该栅极电极的一底表面与该金属栅极结构的该顶表面之间。
4、根据本公开的一些实施方式，该黏合金属的一侧壁与该栅极电极的一侧壁相互对齐。
5、根据...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该黏合金属的一侧壁与该栅极电极的一侧壁相互对齐。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该黏合金属的该侧壁以及该栅极电极的该侧壁还与所述多个栅极间隔物的多个内侧壁对齐。
5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该黏合金属具有位于所述多个栅极间隔物的该顶表面上方的一底表面。
6.一种半导体装置，其特征在于，包括：
7.如权利要求6所述的半导体装置...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该黏合金属的一侧壁与该栅极电极的一侧壁相互对齐。
4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该黏合金属的该侧壁以及该栅极电极的该侧壁还与所述多个栅极间隔物的多个内侧壁对齐。
5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该黏合金属具有位于所述多个栅极间隔物的该顶表面上方的一底表面。
6.一种半导...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘骏逸，林育贤，陈嘉仁，杨鈤笙，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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