本发明提供一种形成在内层介电层（ＩＬＤ）的导光特征（ｌｉｇｈｔ－ｄｉｒｅｃｔｉｎｇ　　ｆｅａｔｕｒｅ），结合抗反射层（ＡＲ），可同时有效增加量子效率与抗扰性，因此改善感光集成电路之光子表现的方法。其步骤包含形成多个光传感器单元在半导体基...

本发明提供一种存储器元件，半导体元件及其制造方法，具体涉及一种整合于一绝缘层上有硅的单晶体管随机处理存储器具有一电容器结构，此电容器结构是埋藏在至少部分的ＳＯＩ基底的电容器沟槽中，且一栅极结构是形成在ＳＯＩ基底上。一上电极电容器结构是和...

本发明为提供一种半导体元件的多层内介电层及其制造方法，具体涉及一种增进插塞模组表现的方法，其是包含通过降低内介电层的表面差异度来改善所制得的插塞模组表现，其对制造电性插塞上将产生较佳的表现。此内介电层是包含多层，第一层（６１０）是保护基...

本发明提供一种半导体元件及形成半导体元件的方法，所述半导体元件包含有栅极、间隙壁、缓冲层、源极／漏极区域。栅极包括有栅极电极及栅极介电层，且栅极介电层位于上述栅极电极之下。间隙壁形成栅极电极及栅极介电层的侧壁。缓冲层位于一半导体基底上，...

本发明提供一种互补型金属氧化物半导体影像感应器。光遮蔽物包括形成在一影像感光元件与一相邻电路之间的结构。该结构以一种光阻碍材料，如金属、金属合金、金属化合物或其他类似材料所形成，形成在多个介电层内，并覆盖在该影像感应元件上。本发明所述的...

本发明提供一种制造微电子机械系统（ｍｉｃｒｏ－ｅｌｅｃｔｒｏ－ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ，ＭＥＭＳ）的方法，此方法包括提供一具有绝缘层于其上的第一基板。一支架粘附于绝缘层上，且此第一基板被薄化。接着，多个洞穴形成于此第一基板上，且此第一基板被...

一种半导体元件，其源极及漏极间沟道部分具有应变材料层。该半导体元件包括：一基底，具有大于或等于硅晶格常数的材料；一第一层位于该基底上，其晶格常数大于该基底的晶格常数；一栅极位于该第一层上，其包括一栅极电极及其下的一栅极介电层；一间隙壁形...

本发明是有关于一种记忆晶胞电容与逻辑元件的整合制造方法及其结构。在本方法中，形成第一导电层与第二导电层分别位于半导体基材上的逻辑区与记忆晶胞区中。形成第一光阻层覆盖逻辑区，并暴露邻接在记忆晶胞区中的第二导电层的内金属介电层。蚀刻移除内金...

一种具混成应变（ｈｙｂｒｉｄ－ｓｔｒａｉｎｅｄ）层的半导体装置，及其形成方法。此半导体装置包括：闸极介电层位在基材之上闸极介电层；闸极电极位在闸极介电层之上；一选择性的间隙壁对位于沿着闸极介电层与闸极电极的侧壁之上；实质上与闸极电极的一...

一种双载流子硅控整流器电路以及其形成方法，用于静电放电防护。此硅控整流器电路包括一双载流子装置，形成于一半导体基板上。此双载流子装置包括至少一Ｎ型阱以及一Ｐ＋材料。Ｎ型阱用以提供较高的电阻，而Ｐ＋材料则作为一集电极，以提供一高电阻。至少...

本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短距离的目的。此方法包括于磁性存储元件上方形成罩幕层以及于此罩幕层上方...

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，其提供在介电层中具有独特阻障层的开口。在一实施例中，该开口包括介层窗与沟槽，而阻障层为一层或多层阻障层。在该开口侧壁上，该一层或多层阻障层沿大约沟槽底部与介电层顶部的中心位置的厚度与其沿沟槽底部的厚...

本发明提供在半导体底材表面上利用浅沟槽绝缘（ｓｈａｌｌｏｗ　　ｔｒｅｎｃｈ　　ｉｓｏｌａｔｉｏｎ，ＳＴＩ）结构来凸伸一阶梯高度，以使彼此绝缘的制造方法。而此方法包含在半导体底材及结构的表面上形成牺牲层（ｓａｃｒｉｆｉｃｉａｌ　　ｌａｙｅ...

本发明提供一种镶嵌结构与其形成方法，所述镶嵌结构的形成方法，基底具有形成于第一绝缘层中的导电层，护层形成于导电层上，蚀刻停止层形成于护层与第一绝缘层上，第二绝缘层于蚀刻停止层上，第一图案化光致抗蚀剂层形成于第二绝缘层上，且第一图案化光致...

一种晶体管（如金属氧化物半导体晶体管），具有位于基板通道区之上的外延成长应变层，使通道区受应力以增加通道中载流子的迁移率。应变层是由一个高介电常数的材质所构成。

本发明是有关于制造半导体元件，特别是有关于使用一真空腔体来制造半导体元件。用于半导体制造的方法包含：提供一光阻层于一晶圆上；使用一真空腔体从光阻层上移除溶剂残渣物；以及对此晶圆进行曝光。

一种可调整的研磨浆供应设备，用于化学机械研磨工艺中。研磨浆供应臂以可转动的方式安装于研磨设备上，且含有研磨浆供应组件，其中研磨浆供应组件可沿着研磨浆供应臂的长边滑动。上述可调整结构的组合可以让使用者于研磨垫中需要的位置施放研磨浆，其中研...

本发明是有关于一种单一金属闸极互补式金氧半导体元件。依据本发明的一种半导体元件，包含在基板结构上形成ｐ－型金氧半导体电晶体，ｐ－型金氧半导体电晶体包含位于基板结构上的源极／汲极及其扩散区域、定义于源极与汲极之间的通道区域、覆盖于通道区域...

本发明是关于一种金字塔形的电容结构及其制作方法。该电容结构具有一般为金字塔形或阶梯形的轮廓，以预防或减少介电层的崩溃。此电容结构包括一第一导电层、至少一介电层位于第一导电层上以及一第二导电层位于介电层上。介电层具有一第一面积。第二导电层...

一种减少互补式金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器杂讯的结构，此改良的互补式金属氧化物半导体场效应晶体管影像感测器至少包括被支持特征部分所围绕的光感测结构，此光感测结构的主动部分仅被透光材料所覆盖。光阻挡部分至少包括黑光过滤层与覆盖支...