本发明提供一种热制程控制方法以及热制程系统，所述热制程控制方法，首先提供一梯度系数矩阵及第一加热模型。依据该第一加热模型，于第一晶圆批次执行第一制程回合。继之，测量该第一晶圆批次中至少一晶圆的膜厚。利用该梯度系数矩阵及该膜厚测量值，执行...

本发明提供一种磁性随机存储元件及其制造方法。所述磁性随机存储元件，包括二第一磁性层，个别地位向于一基底上。一第二磁性层夹置于该二第一磁性层之间。以及二介电层各接触该第二磁性层的相对面，并且各夹置于第二磁性层与该二第一磁性层之一之间，其中...

本发明是有关于一种隔离各种操作电压的集成电路的半导体结构，包括一隔离环位于半导体基材上，并环绕第一电路区与第二电路区。埋入隔离层连续地延伸穿过半导体基材中的第一电路区与第二电路区。埋入隔离层与隔离环交接，藉以将第一电路区及第二电路区与半...

一种事件良率关联分析系统及方法以及计算机可读取储存媒体，其系统包括一数据库与一纪录分析单元。数据库用来储存事件纪录、影响纪录以及良率纪录。纪录分析单元依据影响纪录筛选出受影响半导体对象以及未受影响半导体对象，依据良率纪录，计算受影响半导...

本发明是有关于一种图案控制系统，是一种在微影曝光制程之前用以冷却晶圆的图案控制系统，主要包含晶圆传送路径装置以及冷却模组。晶圆传送路径装置用以于微影制程中传送晶圆，冷却模组用以沿着该晶圆传送路径装置来冷却晶圆。此种晶圆冷却方式可于后续的...

本发明提供一种覆晶球形矩阵封装组件及具散热功能的电子装置，所述覆晶球形矩阵封装组件，包括一基板、一晶片、多个覆晶球、一热扩散板、一散热座以及多个球形矩阵电极。该晶片是设置于该基板之上。该等覆晶球是连接于该晶片与该基板之间。该热扩散板是设...

披露了一种倍缩光刻掩膜的热监测器，用以测量在光刻工艺之前的倍缩光刻掩膜的受热状况与扭曲。此倍缩光刻掩膜的热监测器包括机构，用以决定此倍缩光刻掩膜被扭曲的程度。警报器被连接到此机构，当此倍缩光刻掩膜被扭曲时，通过此机构而激活警报器。本发明...

本发明提供一种半导体装置及形成半导体装置的方法，特别涉及一种栅控ＰＩＮ二极管其形成其的方法。栅控ＰＩＮ二极管包括一半导体基底；一栅极介电层，形成在半导体基底之上；一栅极，形成在栅极介电层之上；一源栅极间隔及一漏栅极间隔，沿着栅极介电层与...

本发明提供一种磁阻结构、磁阻元件、与存储单元，具体涉及一种非平面的磁阻结构，包括一个以上的弯曲部分，介于第一部分与第二部分之间，其中第一部分稍微与基底呈垂直，而第二部分稍微与基底呈水平。上述结构可用于存储元件，如：ＭＲＡＭ存储元件，在不...

本发明是关于一种具有钨接触物的半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；形成一内连开口于该介电层内；沉积一阻障粘着层于该介电层上与该内连开口内；于一成核温度下形成一钨成核层，以于该阻障粘着层上以及于该内连开...

本发明是有关于一种降低或消除漏电的半导体结构及方法，一种在最佳化光电二极管的灵敏度时，用以降低或消除于固定光电二极管与同时制造的浅沟渠隔离（ＳＴＩ）结构间的漏电的方法与系统。本方法至少包括：一系统，具有植入于Ｐ型基材内的Ｎ＋型区；一Ｐ型...

本发明是关于一种插栓的形成方法与双镶嵌结构的制造方法，所述插栓的形成方法包括：提供一半导体基底，其上形成有一低介电常数材料层，该低介电常数材料层具有一上表面以及形成穿过该低介电常数材料层的至少一介层开口；形成一第一插栓材料层于该低介电常...

本发明提供一种统计制程分析系统、计算机执行的用于统计制程分析方法，所述用于统计制程分析的系统，其包括一储存装置、一控制装置、及一侦测装置。该储存装置，其是用以储存多个统计制程分析图表，其中该统计制程分析图表是包含在测试期间从一系统收集来...

本发明提出一种应变半导体覆绝缘层型基底的结构及其制造方法。首先提供一标的晶片和一施体晶片，施体晶片包括一主体半导体基底和位于其上的一应变半导体层，其中主体半导体基底的晶格常数不同于半导体层的自然晶格常数。接着将施体晶片黏着标的晶片的表面...

本发明涉及一种半导体装置，其包括：一半导体基底，该半导体基底包括多个导电通道区；多个金属硅化物，于该半导体基底上；一应变诱发层，于这些金属硅化物上，该应变诱发层具有一大体低浓度的单核双原子化学键。本发明还涉及一种半导体装置的制造方法。

本发明提供一种半导体元件及制造铜导线的方法，有关于以双步骤沉积来提高铜膜品质的方法或设备。该双步骤沉积技术包含了沉积第一铜膜，接着在适当的温度下进行退火以去除杂质。再进行第二铜膜的沉积，完成后进行第二次退火以除去杂质。第二铜膜的沉积可利...

本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包含：一第一层间介电层，覆盖一基底；一第一金属层；多个第二层间介电层，覆盖该第一层间介电层；以及多个第二金属层，每一第二金属层覆盖第二层间介电层其中之一。不烘烤该第一层间介电层，其中该...

本发明是有关于一种具有区域化应力结构的金属氧化物半导体的场效晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）。ＭＯＳＦＥＴ主要包括位于源极与汲极区域上的高应力薄膜，且高应力薄膜未覆盖于闸极上，其中拉伸型式的应力薄膜用于在ｎ型晶体管中，而压缩型式的应力薄膜使用于ｐ...

本发明提供一种产品良率分析系统及方法，所述产品良率分析系统，包括下述互相耦合的多个装置。其中一晶圆测试结果撷取装置撷取晶圆测试数据后，由一晶圆缺陷图产生装置据以产生晶圆缺陷图。再由一整合良率计算装置依据上述测试结果数据，计算整合良率值。...

本发明提供一种填充开口、介层开口与沟槽的方法，具体涉及一种等向性扩散填充方法，对一结构进行热流处理，此结构包括光致抗蚀剂层与热流材料层，以于其间产生一交联层，以减少疏－密介层图案区间的阶层高度差，以使随后的沟槽制程最佳化且减化制程步骤。