具有钨接触物的半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术是关于一种具有钨接触物的半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；形成一内连开口于该介电层内；沉积一阻障粘着层于该介电层上与该内连开口内；于一成核温度下形成一钨成核层，以于该阻障粘着层上以及于该内连开口内；以及于低于该成核温度的一主体沉积温度下形成一钨主体层于该钨成核层上，以填满该内连开口并形成该钨接触物。本发明专利技术具有钨接触物的半导体装置的制造方法，改善了成核层与主体沉积层间的接触情形，钨主体层较佳地吸附于钨成核层的结晶表面并可促进较小的晶粒成长而形成无孔洞的结构，且增加沟填能力，使元件具有较佳的速度与表现。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于半导体制造技术，且特别是有关于通过化学气相沉积(chemical vapor deposition)形成钨接触物(tungstencontacts)的方法。
技术介绍
随着多功能集成电路需求增加，为了满足如此的装置复杂度的需求便需要较多层的金属内连物。由于钨具有低接触电阻值且可通过如溅镀(sputtering)、物理气相沉积(physical vapordeposition)与化学气相沉积(chemical vapor deposition)等众多不同方法沉积于半导体基底上，因此逐渐成为制造金属内连物的众多选择之一。其中，化学气相沉积是通过于腔体内气相分子间的化学反应以形成金属薄膜，而由于钨金属接触物具有极佳的沟填特性故因而受到重视。随着半导体装置尺寸更为缩减而向次微米尺寸(sub-micron regime)挑战，因而对于钨金属的沟填特性与完整阶梯覆盖的能力更形成挑战。美国第6,635,965号、6,593,233号、6,271,129号以及第5,371,041号等专利中揭露了于半导体晶圆的膜层内通过化学气相沉积法形成钨接触物的现有技术。不幸地，此些现有技术往本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有钨接触物的半导体装置的制造方法，所述具有钨接触物的半导体装置的制造方法包括下列步骤：提供一基底；形成一介电层于该基底上；形成一内连开口于该介电层内；沉积一阻障粘着层于该介电层上与该内连开口内； 于一成核温度下形成一钨成核层，以于该阻障粘着层上以及于该内连开口内；以及于低于该成核温度的一主体沉积温度下形成一钨主体层于该钨成核层上，以填满该内连开口并形成该钨接触物。

【技术特征摘要】
US 2004-11-30 10/904,8171.一种具有钨接触物的半导体装置的制造方法，所述具有钨接触物的半导体装置的制造方法包括下列步骤提供一基底；形成一介电层于该基底上；形成一内连开口于该介电层内；沉积一阻障粘着层于该介电层上与该内连开口内；于一成核温度下形成一钨成核层，以于该阻障粘着层上以及于该内连开口内；以及于低于该成核温度的一主体沉积温度下形成一钨主体层于该钨成核层上，以填满该内连开口并形成该钨接触物。2.根据权利要求1所述的具有钨接触物的半导体装置的制造方法，其特征在于该成核温度介于415至460℃。3.根据权利要求1所述的具有钨接触物的半导体装置的制造方法，其特征在于该主体沉积温度介于370至410℃。4.根据权利要求1所述的具有钨接触物的半导体装置的制造方法，其特征在于该钨成核层具有介于100至500埃的厚度。5.根据权利要求1所述的具有钨接触物的半导体装置的制造方法，其特征在于该钨主体沉积层具有介于1000至1500埃的厚度。6.根据权利要求1所述的具有钨接触物的半导体装...

【专利技术属性】
技术研发人员：林思宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]