枝晶生长控制电路和用于控制互连枝晶生长的方法技术

本发明专利技术提供了一种电路，其由于枝晶形成电流，防止在半导体器件处理过程中互连上的枝晶形成。该电路包括设置在枝晶形成电流路径的至少一个中的开关。该开关配置为在处理过程中“开路”或处于“截止”状态，以及配置为在处理之后“闭合”或处于“导通”状态，以允许半导体器件的正确功能。该开关可以包括ｎＦＥＴ或ｐＦＥＴ，取决于它用于控制或防止枝晶形成的环境。开关可以配置为当在制造半导体器件的工作过程中提供输入信号时，变为“闭合”状态。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造，更具体涉及控制或防止半导体器件制造过程中互连之间的枝晶生长。
技术介绍
在某些情况之下，在半导体器件的制造过程中，在金属或其它导电材料互连之间可以形成导电材料的枝晶。例如，在通过镶嵌工艺形成铜线的情况下，利用抛光步骤平面化保持镶嵌形成的线的层表面。典型地，抛光步骤涉及引入研磨剂和/或化学剂的浆料。抛光工艺由此将产生被研磨掉的材料的小颗粒，该小颗粒将在浆料中保持悬浮。因此，被抛光的互连将浸渍在具有悬浮的导电颗粒的浆料中。在一定条件下，电势可以显得穿过某些或所有互连。该电势结合与浆料中的互连相关的化学活性剂可能致使在至少一个互连上形成导电材料的枝晶。此外，这种枝晶可以朝向另一互连生长以及最终与其它互连电接触。枝晶生长所朝向的互连将具有与产生枝晶的互连的电势相反的电势。驱动枝晶生长的每个互连上的电势，由例如连接互连的器件的结构产生，以及可以不必直接涉及器件表面处的工艺。然后这种枝晶将在应该彼此绝缘的互连之间形成短路。然后短路的互连损害电路功能。
技术实现思路
在本专利技术的第一方面中，一种控制互连处理过程中互连枝晶生长的方法包括在枝晶形成电流路径中布置半导体开本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在互连处理过程中控制互连枝晶生长的方法，包括以下步骤：在枝晶形成电流路径中布置半导体开关；以及在互连处理过程中将所述半导体开关配置为“截止”状态，以控制枝晶形成。

【技术特征摘要】
US 2004-11-23 10/904,6801.一种在互连处理过程中控制互连枝晶生长的方法，包括以下步骤在枝晶形成电流路径中布置半导体开关；以及在互连处理过程中将所述半导体开关配置为“截止”状态，以控制枝晶形成。2.根据权利要求1的方法，还包括配置所述半导体开关，以在将输入电压施加到所述半导体开关时，转变为“导通”状态。3.根据权利要求1的方法，还包括从电荷源沿所述枝晶形成电流路径产生枝晶形成电流。4.根据权利要求3的方法，还包括布置所述半导体开关的第一侧与所述电荷源的第一侧电连通，以及布置所述半导体开关的第二侧与枝晶形成互连电连通。5.根据权利要求4的方法，还包括形成具有nFET以及将所述nFET的源极电连接到所述电荷源的第一侧并将所述nFET的漏极电连接到所述枝晶形成互连的半导体开关。6.根据权利要求4的方法，还包括利用导体和掺杂的半导体将nFET的源极电连接到所述电荷源的第一侧，并将所述nFET的栅极连接到所述电荷源的第二侧。7.根据权利要求3的方法，还包括通过半导体结形成所述电荷源以及利用电磁辐射在所述半导体结处产生电荷。8.根据权利要求1的方法，还包括通过任意二极管、nFET和pFET中的至少一个形成所述半导体开关。9.一种控制互连枝晶生长的方法，包括以下步骤布置半导体开关的第一源极/漏极区与电荷源的第一侧电连通；布置所述半导体开关的栅极区与所述电荷源的第二侧电连通；以及布置所述半导体开关的第二源...

【专利技术属性】
技术研发人员：DB赫施贝格尔，SH沃尔德曼，MJ谢拉克，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]