半导体装置制造方法及图纸

技术编号:3194809 阅读:157 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
提供一种半导体装置,具有即使使用低介电常数绝缘膜作为多层布线的层间绝缘膜,也可以减小布线和低介电常数绝缘膜的边界部分的应力集中,可以抑制绝缘膜的剥离,并且还提高散热能力的布线结构,具有在半导体基板的上方形成的绝缘膜,在上述绝缘膜内形成的布线和在上述低介电常数绝缘膜内与上述布线分开形成的网状虚拟结构体。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置的布线,特别涉及具有使用低介电常数绝缘膜作为绝缘膜的多层布线的半导体装置。
技术介绍
半导体装置,为实现高速化、微细化,以减小布线的寄生电容为目的,使用低介电常数绝缘膜作为多层布线的布线间绝缘膜及层间绝缘膜。此低介电常数绝缘膜是比现在广泛使用的二氧化硅膜(SiO2膜)的介电常数低的绝缘膜,例如,可以举出有机硅氧化膜(SiOC膜)、加氟氧化硅膜(SiOF膜)、有机聚合物绝缘膜。这些低介电常数绝缘膜,优选是具有小于等于3的介电常数。这些低介电常数绝缘膜,与SiO2膜比较,具有介电常数低的特征,但是具有机械强度,例如杨氏模量、破坏强度低的弱点。低介电常数绝缘膜,一般除了多层布线的上层之外的大部分层之中都使用。这是因为越接近半导体基板的下层,布线间及布线层间的寄生电容对半导体装置的性能的影响越大之故。低介电常数绝缘膜的机械强度低的这一缺点,不仅是对半导体装置的制造工序而且对半导体装置的性能也有不良影响。例如,在形成多层布线之际的平坦化之中一般采用的化学机械研磨(CMP)时,存在例如,在布线的密度稀疏的部分发生洼坑,在低介电常数绝缘膜和布线金属的边界部分出现应力集本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于具有:在半导体基板的上方形成的绝缘膜;在上述绝缘膜内形成的布线;以及在上述绝缘膜内与上述布线分开形成的网状虚拟结构体。

【技术特征摘要】
JP 2004-11-12 2004-3288471.一种半导体装置,其特征在于具有在半导体基板的上方形成的绝缘膜;在上述绝缘膜内形成的布线;以及在上述绝缘膜内与上述布线分开形成的网状虚拟结构体。2.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于上述绝缘膜是由低介电常数材料构成的,上述网状虚拟结构体是由机械强度比该绝缘膜的机械强度大的材料构成的。3.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于在上述网状虚拟结构体的内侧的任意方向上,存在该网状虚拟结构体和上述绝缘膜的边界。4.如权利要求2所述的半导体装置,其特征在于上述网状虚拟结构体是由金属材料构成的。5.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于在上述网状虚拟结构体的内侧的任意方向上存在该网状虚拟结构体和上述绝缘膜的边界。6.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于在上述网状虚拟结构体的内侧,至少有一个点不在上述网状虚拟结构体上的、至少分开0.5μm的任意的两点间,存在上述网状虚拟结构体和上述绝缘膜的边界。7.如权利要求5所述的半导体装置,其特征在于上述网状虚拟结构体是由周期性的连续网状图形构成的。8.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于在上述网状虚拟结构体的内侧,至少有一个点不在上述网状虚拟结构体上的、至少分开0.5μm的任意的两点间,存在上述网状虚拟结构体和上述绝缘膜的边界。9.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于上述网状虚拟结构体和上述布线的距离大于等于0.05μm小于等于0.5μm。10.如权利要求1所述的半导体装置,其特征在于上述网状虚拟结构体是由周期性的连续网状图形构成的。11.一种半导体装置,其特征在于具有在半导体基板的上方形成的第1绝缘膜;在上述第1绝缘膜内形成的第1布线;在上述第1绝缘膜内与上述第1布线分开形成的第1网状虚拟结构体;在上述第1绝缘膜上形成的第2绝缘膜;在上述第2绝缘膜上形成的第3绝缘膜;在上述第3绝缘膜内形成的第2布...

【专利技术属性】
技术研发人员:臼井孝公柴田英毅室伏正神保雅一平山浩
申请(专利权)人:株式会社东芝
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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