一种线路组件制造技术

本发明专利技术是提供一种线路组件结构，其是透过保护层上方的金属线路或平面，使保护层下方之内部电路将讯号传送至同一芯片上的数个组件或电路单元，或是透过保护层上方的金属线路或平面将电源电压或接地参考电压分配至同一芯片上的数个组件或电路单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种线路组件，特别涉及的是一种在一集成电路(integrated circuit, IC)芯片上，利用保护层(passivation layer)上方形成的金属线路或平面将讯 号由一芯片内建电路(on-chipcircuit)单元传送至其它电路单元，或是将电源电压 或接地参考电压传送至其它电路单元的结构及其方法。
技术介绍
现今的许多电子组件都需要在一高速以及/或是低功率消耗的情况下运行。此 外，现在的电子系统、模块或电路板(circuit board)包含有许多不同类型的芯片， 例如中央处理单位(Central Processing Units, CPUs)、数字讯号处理器(Digita Signal Processors, DSPs)、模拟芯片(analog chip)、动态随机存取内存(DRAMs)、静态随 机存取内存(SRAMs)或闪存(Flashs)等。每一芯片是使用不同类型以及/或是不同世 代的集成电路制程技术来制造。例如，在现今的笔记型个人计算机(notebook personal computer)中，中央处理单位可能是使用 一先进的65纳米(nm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线路组件，其特征在于：其包括：一第一内部电路，其是具有一输出节点；一第二内部电路，其是具有一输入节点；一第一金属线路，连接所述的第一内部电路的所述的输出节点；一第二金属线路，连接所述的第二内部电路的所述的输入节点；一保护层，位于所述的第一内部电路、所述的第二内部电路、所述的第一金属线路与所述的第二金属线路上；以及一第三金属线路，位于所述的保护层上，且连接所述的第一金属线路与所述的第二金属线路。

【技术特征摘要】
1. 一种线路组件，其特征在于其包括一第一内部电路，其是具有一输出节点；一第二内部电路，其是具有一输入节点；一第一金属线路，连接所述的第一内部电路的所述的输出节点；一第二金属线路，连接所述的第二内部电路的所述的输入节点；一保护层，位于所述的第一内部电路、所述的第二内部电路、所述的第一金属线路与所述的第二金属线路上；以及一第三金属线路，位于所述的保护层上，且连接所述的第一金属线路与所述的第二金属线路。2、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第一内部电路包括 一或非门、 一或门、 一且闸、与非门、静态随机存取内存单元、 一动态随机存取 内存单元、 一非挥发性内存单元、 一闪存单元、 一可消除可程序只读存储器单元、 一只读存储器单元、 一磁性随机存取内存单元、 一感测放大器、 一运算放大器一 运算放大器、 一加法器、 一多任务器、 一双工器、 一乘法器、 一模拟/数字转换器、 一数字/模拟转换器、 一互补式金属氧化半导体、 一光敏二极管、 一双载子互补式 金属氧化物半导体、 一反相器、 一内部驱动器、 一内部接收器、 一内部三态緩冲 器与一双载子电路单元其中之一或及其组合。3、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第一内部电路与所 述的第二内部电路分别至少包括一N型金属氧化物半导体组件，所述的N型金属 氧化物半导体组件的信道宽度与通道长度比值是介于0.1至5之间。4、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第一内部电路与所 述的第二内部电路分别至少包括一P型金属氧化物半导体组件，所述的P型金属氧化物半导体组件的信道宽度与通道长度比值是介于0.2至IO之间。5、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第三金属线路的材 质为金、铜、银、铀、钯或镍其中之一或及其组成。6、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的保护层的材质为一 氮硅化合物与一氧硅化合物其中之一或及其组合。7、 根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于还包括厚度介于2 微米至100微米之间的一第一聚合物层位于所述的保护层与所述的第三金属线路之间。8、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第二内部电路包括 一或非门、 一或门、 一且闸、与非门、静态随机存取内存单元、 一动态随机存取 内存单元、 一非挥发性内存单元、 一闪存单元、 一可消除可程序只读存储器单元、 一只读存储器单元、 一磁性随机存取内存单元、 一感测放大器、 一运算放大器、 一运算放大器、 一加法器、 一多任务器、 一双工器、 一乘法器、 一模拟/数字转换 器、 一数字/模拟转换器、 一互补式金属氧化半导体、 一光敏二极管、 一双载子互 补式金属氧化物半导体、 一反相器、 一内部驱动器、 一内部接收器、 一内部三态 緩冲器与 一双载子电路单元其中之一或及其组合。9、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第三金属线路未与 外界电连接。10、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于还包括一含硅的基底承 载所述的第一内部电路与所述的第二内部电路。11、 一种线路组件，其特征在于其包括 一芯片接外电路，包括一输入节点与一输出节点； 一内部电路，包括一输入节点与一输出节点； 一第一金属线路，连接所述的芯片接外电路； 一第二金属线路，连接所述的内部电路；一保护层，位于所述的芯片接外电路、所述的内部电路、所述的第一金属线 路与所述的第二金属线路上；一第三金属线路，连接所述的第一金属线路与所述的第二金属线路；一第四金属线路，位于所述的保护层下且连接所述的芯片接外电路，且所述 的第四金属线路包括至少一第一金属接垫暴露在所述的保护层的一开口内；一第五金属线路，位于所述的保护层上方且所述的第五金属线路包括一第二 金属接垫，所述的第二金属接垫电连接所述的第一金属接垫，所述的第二金属接 垫位置不同于所述的第一金属接垫位置，所述的第二金属接垫包括厚度大于1.5 微米的一第一金属层；以及一导线，位于所述的第二金属接垫上。12、 根据权利要求11所述的线路组件，其特征在于所迷的芯片接外电路包 括一芯片接外驱动器，所述的第一金属线路连接所述的芯片接外驱动器的所述的输出节点。13、 根据权利要求11所述的线路组件，其特征在于所述的芯片接外电路至 少由一金属氧化物半导体组件所构成，所述的芯片接外电路包括一静电放电防护 电路、 一逆偏压二极管与一芯片接外三态緩冲器其中之一或及其组合。14、 根据权利要求11所述的线路组件，其特征在于所述的内部电路包括一 或非门、 一或门、 一且闸、与非门、静态随机存取内存单元、 一动态随机存取内 存单元、 一非挥发性内存单元、 一闪存单元、 一可消除可程序只读存储器单元、 一只读存储器单元、 一磁性随机存取内存单元、 一感测放大器、 一运算放大器、 一运算放大器、 一加法器、 一多任务器、 一双工器、 一乘法器、 一模拟/数字转换 器、 一数字/模拟转换器、 一互补式...

【专利技术属性】
技术研发人员：林茂雄，周健康，李进源，
申请(专利权)人：米辑电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]