【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体组件的制作及其结构，特别涉及一种在半导体基底上形成 金属层的制作方法及其结构。
技术介绍
在现今的半导体技术中，若欲降低半导体组件的尺寸，势必使得组件中单一集成 电路芯片的封装密度呈现戏剧性地提高，然而，当半导体组件的尺寸缩小时，组件封装密度 将提高，而集成电路芯片上用以提供电性连接的金属内连接层的层数亦必须增加，以有效 地连接基底上相互分离的结构，举例而言，此领域中习知的单一集成电路芯片是具有二至 六层的金属内连接层结构。在成长完多层的金属内连接层结构后，金属接垫是形成于此金属内连接层结构的 顶部，用以提供芯片或是晶粒做为对外的电性连接；接着，形成一保护层以避免芯片遭受 到湿度与污染物的影响，而保护层的材料是可为氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅 (silicon oxy-nitride)或是上述材料的组合；而在成长保护层之后，具有复数个电路图案 的晶粒则可连接至一封装基底上，且此封装基底是可具有复数个封脚(pin)以将其上的电 路连接至外部的印刷电路板上。习知用以电性连接晶粒与封装基底的其中一种方法是利用打线技术，其中...
【技术保护点】
一种半导体组件，其特征在于，包括：一硅基底；一介电层，位于该硅基底上；一线路层，位于该介电层上；一铜接垫，位于该线路层上；一阻障层，包覆该铜接垫的下表面及侧壁，且该阻障层的材质含钽、氮化钽或氮化钛；一保护层，位于该介电层上、位于该线路层上以及位于该铜接垫的部分上表面上，该保护层具有一开口，且该铜接垫位于该开口下；一第一金属层，位于该铜接垫上、位于该保护层的部分上表面上以及位于该开口内，且该第一金属层的材质含钛、氮化钛、钛钨合金、钽或氮化钽；一第二金属层，位于该第一金属层上，且该第二金属层的材质含铝；一第三金属层，位于该第二金属层上且接触该第二金属层，该第三金属层的材质含钛、...
【技术特征摘要】
US 2005-7-29 60/703,933;US 2005-7-29 60/703,932;US一种半导体组件，其特征在于，包括一硅基底；一介电层，位于该硅基底上；一线路层，位于该介电层上；一铜接垫，位于该线路层上；一阻障层，包覆该铜接垫的下表面及侧壁，且该阻障层的材质含钽、氮化钽或氮化钛；一保护层，位于该介电层上、位于该线路层上以及位于该铜接垫的部分上表面上，该保护层具有一开口，且该铜接垫位于该开口下；一第一金属层，位于该铜接垫上、位于该保护层的部分上表面上以及位于该开口内，且该第一金属层的材质含钛、氮化钛、钛钨合金、钽或氮化钽；一第二金属层，位于该第一金属层上，且该第二金属层的材质含铝；一第三金属层，位于该第二金属层上且接触该第二金属层，该第三金属层的材质含钛、氮化钛、钛钨合金、铬、铬铜合金、钽或氮化钽；一种子层，位于该第三金属层上且接触该第三金属层；以及一金层，位于该种子层上且接触该种子层，该金层经由该种子层、该第三金属层、该第二金属层及该第一金属层连接该...
【专利技术属性】
技术研发人员：林茂雄，罗心荣，周秋明，周健康，陈科宏，
申请(专利权)人：米辑电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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