【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种线路组件，特别涉及一种能有效改善集成电路性能的线路组件。
技术介绍
半导体晶圆片是可用以制造出持续增加密度且缩小几何特征图案的集成电路，借 由多层的导电层与绝缘层的结构可分别提供位于不同层上的半导体组件之间的内部连接 与隔绝的效果，例如主动与被动组件，像薄膜晶体管、互补金氧半导体、电容、电感器、电 阻等等的大规模集成电路中，在不同层状结构与半导体组件之间是需要增加多个电性连接 部，且同时，对于组合式的集成电路芯片而言，亦需要增加大量的导线，这些导线穿越出集 成电路芯片中的保护层并裸露在外，而最后则是终止在输入输出接垫上，此导线是用来与 芯片封装的外部接触结构进行连接。晶圆级封装，即为所谓的以晶圆级的方式封装一集成电路芯片的技术，而非传统 的在将晶圆片先切割后而在进行单一单元的封装制造方法，因此，在将晶圆片切割为单一 单元以供组装为最终的芯片承载封装之前，例如在进行球栅数组封装之前，晶圆级封装即 可将晶圆片制造、封装、测试与晶圆级预烧进行整合，其优点包含借由缩小所占的体积与 厚度以获得较小的尺寸、较轻的重量、相对简化的组装制造方法、较低的整体生...
【技术保护点】
一种线路组件，其特征在于，包括：一半导体基底；一第一金属柱体，位于该半导体基底上，该第一金属柱体的最大横向尺寸除以该第一金属柱体的高度的比值小于４，且该第一金属柱体的高度是介于２０微米至３００微米之间；一第二金属柱体，位于该半导体基底上，该第二金属柱体的最大横向尺寸除以该第二金属柱体的高度的比值小于４，且该第二金属柱体的高度是介于２０微米至３００微米之间，该第一金属柱体的中心点至该第二金属柱体的中心点之间的距离是介于１０微米至２５０微米之间；一第一聚合物层，位于该半导体基底上，且该第一聚合物层接触该第一金属柱体的侧壁以及该第二金属柱体的侧壁，但该第一聚合物层没有接触该第一金...
【技术特征摘要】
US 2005-6-24 60/693,5491.一种线路组件，其特征在于，包括一半导体基底；一第一金属柱体，位于该半导体基底上，该第一金属柱体的最大横向尺寸除以该第一 金属柱体的高度的比值小于4，且该第一金属柱体的高度是介于20微米至300微米之间；一第二金属柱体，位于该半导体基底上，该第二金属柱体的最大横向尺寸除以该第二 金属柱体的高度的比值小于4，且该第二金属柱体的高度是介于20微米至300微米之间，该 第一金属柱体的中心点至该第二金属柱体的中心点之间的距离是介于10微米至250微米 之间；一第一聚合物层，位于该半导体基底上，且该第一聚合物层接触该第一金属柱体的侧 壁以及该第二金属柱体的侧壁，但该第一聚合物层没有接触该第一金属柱体的顶端表面以 及该第二金属柱体的顶端表面；一第二聚合物层，位于该第一聚合物层上，且位于该第二聚合物层内的一第一开口位 于该第一金属柱体的顶端表面上，位于该第二聚合物层内的一第二开口位于该第二金属柱 体的顶端表面上；一第一凸块，位于该第二聚合物层上，且该第一凸块经由该第一开口连接该第一金属 柱体；一第二凸块，位于该第二聚合物层上，且该第二凸块经由该第二开口连接该第二金属 柱体；以及一软版、印刷电路板、陶瓷基板或玻璃基板，位于该第一凸块及该第二凸块上，且连接 该第一凸块及该第二凸块。2.如权利要求1所述的线路组件，其特征在于，该第一金属柱体的中心点至该第二金 属柱体的中心点之间的距离是介于10微米至175微米之间。3.如权利要求1所述的线路组件，其特征在于，该第一凸块的中心点至该第二凸块的 中心点之间的距离是小于250微米。4.如权利要求1所述的线路组件，其特征在于，该第一凸块与该第二凸块的材质为金 或铜。5.如权利要求1所述的线路组件，其特征在于，该第一金属柱体与该第二金属柱体的 材质是选自金、铜、银、钯、钼、铑、钌、铼或镍。6.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：林茂雄，周健康，陈科宏，
申请(专利权)人：米辑电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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