一种线路组件制造技术

本发明专利技术是提供一种线路组件结构，其是通过保护层上方的金属线路或平面，使保护层下方之内部电路将讯号传送至同一芯片上的数个组件或电路单元，或是通过保护层上方的金属线路或平面将电源电压或接地参考电压分配至同一芯片上的数个组件或电路单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种线路组件，特别涉及的是一种在一 集成电路(integrated circuit, IC)芯片上，利用保护层(passivation layer)上方形成的金属线路或平面将讯 号由一芯片内建电路(on-chipcircuit)单元传送至其它电路单元，或是将电源电压 或接地参考电压传送至其它电路单元的结构及其方法。
技术介绍
现今的许多电子组件都需要在一 高速以及/或是低功率消耗的情况下运行。此 外，现在的电子系统、模块或电路板(circuit board)包含有许多不同类型的芯片， 例如中央处理单位(Central Processing Units, CPUs)、数字讯号处理器(Digita Signal Processors, DSPs)、模拟芯片(analog chip)、动态随机存取内存(DRAMs)、静态随 机存取内存(SRAMs)或闪存(Flashs)等。每一芯片是使用不同类型以及/或是不同世 代的集成电路制程技术来制造。例如，在现今的笔记型个人计算机(notebook personal computer)中，中央处理单位可能是使用 一先进的65纳米(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线路组件，其特征在于：其包括：一稳压器；一金属氧化物半导体组件；一第一金属线路，连接所述的稳压器；一第二金属线路，连接所述的金属氧化物半导体组件；一保护层，位于所述的稳压器、所述的金属氧化物半导体组件、所述的第一金属线路与所述的第二金属线路上；以及一第三金属线路，位于所述的保护层上，且连接所述的第一金属线路与所述的第二金属线路。

【技术特征摘要】
1. 一种线路组件，其特征在于其包括一稳压器；一金属氧化物半导体组件；一第一金属线路，连接所述的稳压器；一第二金属线路，连接所述的金属氧化物半导体组件；一保护层，位于所述的稳压器、所述的金属氧化物半导体组件、所述的第一金属线路与所述的第二金属线路上；以及一第三金属线路，位于所述的保护层上，且连接所述的第一金属线路与所述的第二金属线路。2、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的稳压器输出一电压 值时，所述的电压值与一设定目标电压值之间的差值除以所述的设定目标电压值 的百分比是小于10%。3、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于还包括一内部电路，所述 的内部电路是至少由所述的金属氧化物半导体组件所构成。4、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于还包括一电源管理芯片或属氧化物半导体组件所构成。5、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第一金属线路与所 述的第二金属线路分别包括厚度是介于0.05微米至2微米之间的一铝层或一铜层。6、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第三金属线路的材 质包括金、铜、4艮、铀、4巴或4臬其中之一或及其组成。7、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的保护层的材质包括 一氧硅化合物与一氮硅化合物其中之一或及其组合。8、 根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于还包括厚度介于2 微米至100微米之间的一第一聚合物层位于所述的保护层与所述的第三金属线路 之间。9、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第二金属线路连接 至所述的金属氧化物半导体组件的一电源节点、 一接地节点或源极。10、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第三金属线路未 向上与外界电连接。11、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于还包括一第二聚合物层 位于所述的第三金属线路上。12、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于还包括一含硅的基底承 载所述的稳压器与所述的金属氧化物半导体组件。13、 一种线路组件，其特征在于其包括 一变压器；一金属氧化物半导体组件； 一第一金属线路，连接所述的变压器； 一第二金属线路，连接所述的金属氧化物半导体组件；一保护层，位于所述的变压器、所述的金属氧化物半导体组件、所述的第一 金属线路与所述的第二金属线路上；以及一第三金属线路，位于所述的保护层上，且连接所述的第一金属线路与所述 的第二金属线路。14、 根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于所述的变压器将一输入 电压转换成一输出电压，所述的输出电压与所述的输入电压值不同，其中所述的 输入电压与所述的输出电压的差值除以所述的输出电压的百分比大于10 % 。15、 根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于还包括一内部电路，所 述的内部电路是至少由所述的金属氧化物半导体组件所构成。16、 根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于还包括一电源管理芯片 或一 电源供应芯片，所述的电源管理芯片与所述的电源供应芯片分别是至少由所 述的金属氧化物半导体组件所构成。17、 根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于所述的第一金属线路与 所述的第二金属线路分别包括厚度是介于0.05微米至2微米之间的 一铝层或一铜 层。18、 根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于所述的第三金属线路的 材质包括金...

【专利技术属性】
技术研发人员：林茂雄，周健康，李进源，
申请(专利权)人：米辑电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]