一种线路组件制造技术

本发明专利技术是提供一种线路组件结构，其是通过保护层上方的金属线路或平面，使保护层下方之内部电路将讯号传送至同一芯片上的数个组件或电路单元，或是通过保护层上方的金属线路或平面将电源电压或接地参考电压分配至同一芯片上的数个组件或电路单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及的是一种线路组件，特别涉及的是一种在一集成电路(integrated circuit, IC)芯片上，利用保护层(passivation layer)上方形成的金属线路或平面将讯 号由一芯片内建电路(on-chipcircuit)单元传送至其它电路单元，或是将电源电压 或接地参考电压传送至其它电路单元的结构及其方法。
技术介绍
现今的许多电子组件都需要在一高速以及/或是低功率消耗的情况下运行。此 外，现在的电子系统、模块或电路板(circuit board)包含有许多不同类型的芯片， 例如中央处理单位(Central Processing Units, CPUs)、数字讯号处理器(Digita Signal Processors, DSPs)、模拟芯片(analog chip)、动态随机存取内存(DRAMs)、静态随 机存取内存(SRAMs)或闪存(Flashs)等。每一芯片是使用不同类型以及/或是不同世 代的集成电路制程技术来制造。例如，在现今的笔记型个人计算机(notebook personal computer)中，中央处理单位可能是使用 一先进的65纳米(nm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种线路组件，其特征在于：其包括：一第一静电放电防护电路，其包括一电源节点与一接地节点；一内部电路，其包括一电源节点与一接地节点；一第一金属线路，连接所述的第一静电放电防护电路的所述的电源节点；一第二金属线路，连接所述的第一静电放电防护电路的所述的接地节点；一第三金属线路，连接所述的内部电路的所述的电源节点；一第四金属线路，连接所述的内部电路的所述的接地节点；一保护层，位于所述的第一静电放电防护电路、所述的第一金属线路、所述的第二金属线路、所述的第三金属线路与所述的第四金属线路上；一第五金属线路，位于所述的保护层上，所述的第一金属线路通过所述的第五金属线路连接至所述的第三金属线路；以及一第六金...

【技术特征摘要】
1. 一种线路组件，其特征在于其包括一第一静电放电防护电路，其包括一电源节点与一接地节点；一内部电路，其包括一电源节点与一接地节点；一第一金属线路，连接所述的第一静电放电防护电路的所述的电源节点；一第二金属线路，连接所述的第一静电放电防护电路的所述的接地节点；一第三金属线路，连接所述的内部电路的所述的电源节点；一第四金属线路，连接所述的内部电路的所述的接地节点；一保护层，位于所述的第一静电放电防护电路、所述的第一金属线路、所述的第二金属线路、所述的第三金属线路与所述的第四金属线路上；一第五金属线路，位于所述的保护层上，所述的第一金属线路通过所述的第五金属线路连接至所述的第三金属线路；以及一第六金属线路，位于所述的保护层上，所述的第二金属线路通过所述的第六金属线路连接至所述的第四金属线路。2、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第一金属线路、所 述的第二金属线路、所述的第三金属线路与所述的第四金属线路层分别为厚度是 介于0.05微米至2微米之间的一铝层或一铜层。3、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第五金属线路与所 述的第六金属线路的材质分别为金、铜、银、粕、钯或镍其中之一或及其组成。4、 根据权利要求1所述的线路组件，其中，所述的保护层的材质包括一氮硅 化合物或一氧硅化合物。5、 根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于还包括厚度介于2 微米至100微米之间的 一第 一聚合物层位于所述的保护层与所述的第五金属线路 之间。6、 根据权利要求1所述的线路组件结构，其特征在于还包括厚度介于2 微米至100微米之间的一第二聚合物层位于所述的保护层与所述的第六金属线路之间。7、 根据权利要求6所述的线路组件结构，其特征在于所述的第六金属线路 位于所述的第五金属线路上方，所述的第二聚合物层还位于所述的第五金属线路 与所述的第六金属线路之间。8、 根据权利要求l所述的线路组件，其特征在于还包括一第三聚合物层位 于所述的第五金属线路与所述的第六金属线路上。9、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于还包括一第二静电放电防 护电路、 一第七金属线路与一第八金属线路位于所述的保护层下，所述的第七金 属线路与所述的第八金属线路分别连接所述的第二静电放电防护电路的电源节点 与接地节点，所述的第五金属线路连接所述的第七金属线路，所述的第六金属线 路连接所述的第八金属线路。10、 根据权利要求9所述的线路组件，其特征在于所述的第七金属线路与 所述的第八金属线路分别为厚度是介于0.05微米至2微米之间的一铝层或一铜 层。11、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于所述的第一静电放电防 护电路与所述的第二静电放电防护电路分别包括一逆偏压二极管。12、 根据权利要求1所述的线路组件，其特征在于还包括一含硅的基底承 载所述的第一静电放电防护电路。13、 一种线路组件，其特征在于其包括一第一静电放电防护电路，包括一电源节点与一接地节点与一讯号接点； 一内部电路；一芯片接外电路，包括一第一讯号接点与一第二讯号接点； 一第一金属线路，连接所述的第一静电放电防护电路的所述的电源节点； 一第二金属线路，连接所述的第一静电放电防护电路的所迷的接地节点； 一第三金属线路，连接所述的第一静电放电防护电路的所述的讯号接点与所 述的芯片接外电路的所述的第一讯号接点； 一第四金属线路，连接所述的内部电路；一保护层，位于所述的第一静电放电防护电路、所述的第一金属线路、所述 的第二金属线路、所述的第三金属线路与所述的第四金属线路上；以及一第五金属线路，位于所述的保护层上，所述的芯片接外电路通过所述的第 五金属线路连接至所述的第四金属线路。14、 根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于所述的第一金属线路、 所述的第二金属线路、所述的第三金属线路与所述的第四金属线路分别为厚度是 介于0.05微米至2微米之间的一铝层或一铜层。15、 根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于所述的第五金属线路的 材质为金、铜、银、铀、钯或镍其中之一或及其组成。16、 根据权利要求13所述的线路组件，其特征在于所述的保护层的材质为 一氮石圭4匕合物与一氧石圭化合物其中之一或及其组合。17、 根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：林茂雄，周健康，李进源，
申请(专利权)人：米辑电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]