【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种利用照相平版印刷术处理薄膜的掩模以及使用这种掩模来制造半导体装置如薄膜晶体管阵列面板的方法。
技术介绍
近来，在很多应用中，平板显示器，例如，液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器和等离子体显示面板(PDP)正代替笨重又大的阴极射线管(CRT)。为了显示图像，PDP利用来自气体放电的等离子体，OLED激发发射性有机或聚合物材料发光，LCD在液晶(LC)层中产生电场，该电场确定LC层中的LC分子的取向。LC分子的取向控制入射到LC层的光的透过率。平板显示装置通常包括设置有多个像素的下面板，多个像素以矩阵排列。矩阵中的每个像素包括开关元件，该开关元件连接到多条信号线，这些信号线将信号传输到矩阵中的开关元件。与该下面板相对设置的是上面板，上面板设置有多个彩色滤光器。平板显示装置还具有将信号驱动到信号线的多个驱动元件。利用照相平版印刷术和蚀刻步骤使多层薄膜在这些面板上形成图案，以在绝缘层中形成信号线和接触孔。由于照相平版印刷术昂贵且耗时，所以期望减少平版印刷术步骤的数量。
技术实现思路
本专利技术提供了一种利用光刻胶蚀刻掩模使一层或多层薄...
【技术保护点】
一种曝光掩模，包括：挡光不透明区；半透明区；透明区。
【技术特征摘要】
KR 2004-12-14 10-2004-0105547;KR 2005-6-10 10-20051.一种曝光掩模，包括挡光不透明区；半透明区；透明区。2.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，所述半透明区在穿过所述半透明区的入射光中产生相位差。3.根据权利要求2所述的曝光掩模，其中，所述相位差的范围在大约-70°至大约+70°之间。4.根据权利要求1所述的曝光掩模，其中，所述半透明区的透光率在所述透明区的透光率的大约20％至大约40％之间。5.根据权利要求2所述的曝光掩模，其中，所述挡光不透明区被涂覆不透明材料层。6.根据权利要求5所述的曝光掩模，其中，所述半透明区含有MoSi。7.根据权利要求6所述的曝光掩模，其中，所述半透明层含有从MoSiN、MoSiO、MoSiC、MoSiCO、MoSiCN、MoSiON和MoSiCON组成的组中选择的至少一种。8.根据权利要求5所述的曝光掩模，其中，所述半透明层包括由不透明材料制成的多个切口。9.根据权利要求5所述的曝光掩模，其中，所述挡光不透明层含有Cr。10.根据权利要求5所述的曝光掩模，其中，所述半透明层含有大约0-20％的C、0-60％的O、0-60％的N、20-60％的Si，剩余的为金属。11.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括在具有至少两层薄膜的基板上涂覆光刻胶膜；利用一个曝光掩模使所述光刻胶膜曝光；使所述光刻胶膜显影为具有第一部分和第二部分的图案，所述第一部分比所述第二部分厚；使用所述光刻胶图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述至少两层薄膜。12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述曝光掩模包括半透明区和挡光不透明区，所述半透明区在穿过所述半透明区的入射光中产生相位差，所述相位差的范围在大约-70°至大约+70°之间。13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述第二部分与所述光刻胶膜接收穿过所述半透明区的光的区域相对应，所述第一部分与所述光刻胶膜接收穿过所述挡光不透明区的光的区域相对应。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述半导体装置被用作显示面板。15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述半导体装置被用作液晶显示器的显示面板。16.根据权利要求13所述的方法，其中，所述半导体装置被用作有机发光二极管显示器的显示面板。17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述蚀刻至少两层薄膜的步骤包括去除所述光刻胶膜的所述第二部分；蚀刻薄膜通过去除所述光刻胶膜的所述第二部分而暴露的第一处；去除所述光刻胶膜的所述第一部分。18.根据权利要求11所述的方法，其中所述至少两层薄膜包括栅极绝缘层、本征非晶硅层、非本征非晶硅层和导电层；所述图案还包括没有所述光刻胶膜的第三部分；所述蚀刻所述至少两层薄膜的步骤包括去除与所述图案的所述第三部分对应的所述导电层、...
【专利技术属性】
技术研发人员：金钟安，韩知行，郑营培，郑培铉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。