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掩模和半导体装置的制造方法以及薄膜晶体管阵列面板制造方法及图纸
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文档序号:3194811
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本发明提供了一种曝光掩模,该曝光掩模包括:挡光不透明区,阻挡入射光;半透明区;和透明区,使大部分入射光穿过,其中,半透明区产生在大约-70°至大约+70°范围内的相位差。...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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