本发明是有关于一种形成孔洞于半导体晶圆的方法。利用虚拟特征形成孔洞于半导体晶圆。该方法包括形成一硬罩幕层于一介电层上，硬罩幕层包括一实体部分与一第一开口，并提供一图案化材料层于硬罩幕层上，图案化材料层包括第二开口与第三开口。图案化材料层...

一种半导体元件，包含在基板中形成源极与漏极。在基板上的源极与漏极之间形成穿隧式介电质。浮动栅极位于该穿隧式介电质上，且此浮动栅极的能隙低于硅的能隙。

本发明提供一种多字元存储装置及其形成方法，所述形成半导体装置的方法，包括：形成一栅极介电层以及一栅极电极于一半导体基底上，部分地移除该栅极介电层以形成由该栅极介电层分隔的两凹处且该两凹处实质上设置于该栅极电极下方，以及利用氧化层与材料层...

本发明提供一种半导体元件，该半导体元件包含有至少一Ｎ型通道元件以及至少一Ｐ型通道元件。该Ｎ型通道元件包含有一高介电常数的栅介电层。该Ｐ型通道元件包含有该高介电常数的栅介电层。该Ｎ型通道元件具有一Ｐ型栅极，该Ｐ型通道元件具有一Ｎ型栅极。根...

本发明是关于一种焊锡接垫上销子封装的组件、封装、基板结构及封装方法，该具有增进可信度的半导体组件至少包括有一在表面上具有至少一导体接垫的第一基板；一在表面上具有至少一导体接垫的第二基板；至少一导电销子；和至少一焊锡凸块与位于第一基板的导...

本发明揭示一种集成电路封装装置及其制造方法。封装装置包括：第一及第二封装基板、一第一及第二集成电路晶片、及一散热器。第一集成电路晶片上的一主动区上形成有至少一接合结构，以将其电性耦接至第一封装基板。第二集成电路晶片上的一主动区上形成有至...

本发明提供一种集成电路中的半导体装置及其制造方法。在一半导体基底上形成一介电层，在该介电层中形成一开口，在该开口的内壁与该介电层上形成一阻障层，在该阻障层上沉积一导电层并填充该开口。然后，对该导电层进行一平坦化步骤，用以形成该内连线结构...

一种用以形成具有改善灵敏度的至少一个图像传感器以及至少一个晶体管元件的方法。此方法包含形成至少一部分的晶体管于基板上，通过在距离晶体管元件最小预定长度掺杂预定区域来形成此传感器，形成用来覆盖晶体管元件的接面区域的蚀刻终止层，移除于预定区...

一种静态随机存取记忆体的记忆胞的结构，ＳＲＡＭ元件，其包括位于基板的深Ｎ井区中的ＳＲＡＭ记忆胞。ＳＲＡＭ记忆胞中的Ｐ井区占据少于约６５％的ＳＲＡＭ记忆胞的面积。ＳＲＡＭ记忆胞区域的较长边对ＳＲＡＭ记忆胞较短边的比大于约１．８。ＳＲＡＭ记...

本发明是一种半导体封装物及其制造方法，所述半导体封装物的制造方法，包括下列步骤：提供一封装基板，其具有第一热膨胀系数且于该封装基板的表面上具有至少一接垫；形成一集成电路晶片，具有多个电子装置以及至少一耦合结构，该耦合结构是用于电性耦合于...

本发明是有关于一种内存晶胞及其制造方法。该内存晶胞主要包括开关晶体管以及储存区域。其中晶体管设有闸极以及汲极，储存区域设有浅沟渠隔离区域（ＳＴＩ）的沟渠，而位于沟渠中的非绝缘结构的材质例如可为多晶硅或是金属材质，以作为电容结构。利用掺杂...

一种处理低介电常数介电层的方法，藉以改善机械力及／或修复等离子体蚀刻伤害，此处理低介电常数介电层的方法包括提供含低介电常数氧化硅介电绝缘层；以及对此含低介电常数氧化硅介电绝缘层进行一超临界流体处理，此超临界流体包括超临界二氧化碳以及共溶...

本发明是关于一种阻障层及其制造方法。该阻障层材质主要包括钽（Ｔａ）、钨（Ｗ）、钛（Ｔｉ）、钌（Ｒｕ）、锆（Ｚｒ）、铪（Ｈｆ）、钒（Ｖ）、铌（Ｎｂ）、铬（Ｃｒ）或是钼（Ｍｏ）等成分，且使用的反应气体为氧、氮或是碳，其中反应气体的组成与该阻...

本发明提供一种半导体元件及半导体元件的连接结构，所述半导体元件的连接结构包括一花生状的开口。花生状的开口包括窄区域和宽区域，其中窄区域是位于两宽区域之间或位于多个宽区域的其中两者之间。一导电插塞至少部分填入花生状开口。本发明所述半导体元...

本发明是有关于一种具有嵌入式电容的半导体元件基材，此半导体元件包括动态随机存取记忆晶胞结构，而此动态随机存取记忆晶胞结构至少包括具有嵌入式电容结构的绝缘层上有硅（Ｓｉｌｉｃｏｎ　　Ｏｎ　　Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ；ＳＯＩ）基材。此半导体元件的...

本发明提供一种晶背上具有整合散热座的晶圆级封装以及晶片的散热方法，具体涉及一种ＩＣ晶片的散热座及其ＩＣ晶片散热的方法，其实施方式可包括：于晶背上沉积晶种层以形成ＩＣ晶片的散热座，其中晶圆上具有多个集成电路晶片。然后沉积一光致抗蚀剂层于晶...

本发明是有关于一种隔离基板杂讯的集成电路结构和其形成方法，在本发明的较佳实施例中，在基板上的第一电路区域和第二电路区域间利用质子轰击形成第一半绝缘区域，沿着第一半绝缘区域的两侧形成两个护环。从基板的背部利用质子轰击在基板内形成第二半绝缘...

本发明是关于一种于半导体装置中形成用于闸电极图案化的硬遮罩的方法及对应的装置，该方法包括提供欲蚀刻的一多晶硅层，以及在多晶硅层上方形成一氮化物硬遮罩，其中相较于氧化硅的蚀刻率，氮化物硬遮罩对稀氢氟酸具有相对高的蚀刻率。接着使用硬遮罩图案...

本发明涉及一种使用化学机械研磨法制造半导体元件的内连线结构的方法，特别涉及一种用于制造半导体元件的化学机械研磨方法。首先，使用第一研磨平台与第一研磨浆移除第一内连线材料层的第一部分，然后使用第二研磨平台与第二研磨浆移除第一内连线材料层的...

本发明涉及一种非一致性型态辨别系统及方法。一个储存装置用以储存多个理论型态及量测值，而每一量测值关联于一片晶圆上的一个区域。处理单元取得理论型态以及至少两片晶圆上的量测值，根据量测值计算每一片晶圆的每一个理论型态的一个型态分数，依据产生...