本发明提供一种介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路，所述介电层包括：一顶部部分；以及一底部部分，其中上述介电层具有由顶部部分往底部部分大体均匀地变化的密度。本发明所述介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路，可允许调整金属层间介...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，具体涉及一种降低硅之中的应力以助于在硅上方形成硅化镍的方法。该方法包括：应力补偿的源／漏区离子布植制程、于非晶硅层上形成一硅化物的制程、应力补偿的深埋层制程、于硅化物形成期间进行的应力补偿的介电覆盖...

本发明提供一种电性内连线交截处的接合及半导体装置。上述电性内连线交截处的接合，位于一基底上并用于导引电流进入另一内连线的方向，包括至少一供应电流的电性内连线的一部分，此内连线具有一长度且平行于一第一纵轴，其功用为提供一电流的流动。至少一...

本发明涉及一种在半导体装置的多栅极晶体管上形成栅极电极的方法。该方法首先提供基底，其包含设于绝缘层上的半导体鳍片，及该半导体鳍片上形成的栅极介电质。并于该栅极介电质及该半导体鳍片上形成栅极材质，其形成的上表面不平坦。再将掺杂物注入该栅极...

一种防止在绝缘层上覆硅（ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｏｎ　　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ，ＳＯＩ）晶圆的主动区侧壁下方形成底切（ｕｎｄｅｒｃｕｔ）的方法。先在已定义的主动区域上沉积一层绝缘层，然后蚀刻此绝缘层，使其在主动区的侧壁形成间隙壁。并选择执行或不执...

本发明提供一种半导体结构，包括：一基底，其上方形成有一导电层，以及一介电层，位于该导电层的上方。再者，包括一孔洞，位于该介电层内，且填充有一导电材料，该孔洞具有一底部与一侧壁，一第一阻障层，形成于该孔洞的侧壁，一第二阻障层，形成于该孔洞...

本发明是一种金属氧化物半导体晶体管和其制造方法。所述金属氧化物半导体晶体管的制造方法，首先，提供一基底，基底上形成有栅极。以栅极为第一掩膜，布植基底。其后，形成至少两个第一间隙壁，分别邻接栅极的两侧。以栅极和第一间隙壁为第二掩膜，布植基...

本发明是有关于一种增强表面附着性及故障模式分析的新式元件结构，提供一具有半导体元件形成其中与其上的基材，此半导体元件的结构包含了介电常数小于４．５的介电层，此介电层之内又再包含有镶嵌着导体层的孔洞。其中在介电层与导体之间的介电材料具有一...

本发明是有关于一种具多晶方向的ＣＭＯＳ逻辑闸及其形成方法，是一种使用ＳＯＩ与混合基材方向形成ＣＭＯＳ元件的方法。依照本发明的一较佳实施例，基材可具有多种结晶方向。基材中的逻辑闸可包括位于一结晶方向上的至少一Ｎ－ＦＥＴ及位于另一结晶方向上...

本发明提供一种半导体元件，半导体元件包含有多个散射条设置于一隔离导线两侧，以改善微影制程的结果，各散射条具有一定的宽度并与隔离的导线间距有一定距离，以增加对半导体元件进行图案化时的微影制程的聚焦深度，且在完成半导体元件的制作后，这些散射...

本发明提供一种存储器电路，动态及静态随机存取存储器电路模块，其为一种集成电路，其具有一或多个装置，该等装置具有实质上相等的物理栅极介电质厚度，而具有不同的电性栅极介电质厚度，以可符合不同的操作需要。以一或多个装置使用多掺杂制程而以相同屏...

本发明是提供一种半导体装置，具体为一种内含高电压ＭＯＳ的半导体装置以及其制造方法。该半导体装置是包括一基板，该基板上具有彼此分离的低电压装置区域与高电压装置区域。该半导体装置亦包括数个内含绝缘体的隔离区域，并且该等隔离区域当中至少一个是...

本发明是关于一种金属硅化栅极及其形成方法，其形成方法适用于具有至少一栅极以及多个主动区的一基底，包括下列步骤：借由一第一材料以于该些主动区上形成一第一金属硅化物，该第一金属硅化物具有一第一厚度；以及借由一第二材料以于该栅极内形成一第二金...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法，其目的在于揭示一种具有高介电值栅极介电层的金属氧化物半导体晶体管的制程及设备。首先为提供一基底，一高介电值栅极介电层材料沉积覆盖该基底，一栅极电极层沉积覆盖该介电层材料，以及进行一图形化步骤，以制造...

本发明是关于一种应变沟道半导体结构及其制造方法，其结构包括：一基底，由具有第一自然晶格常数的一第一半导体材料所构成；一沟道区，设置于基底内；一堆栈栅极，设置于沟道区上，其包含有依序堆栈于沟道区上的一栅极介电层及一栅电极；以及一对源／漏极...

本发明提供一种半导体元件及其制造方法，其是适用于金属栅极制程的单晶体管存储器技术，其是在制作金属栅极和嵌入在绝缘结构的ＭＩＭ电容器的上电极采用同一种金属材料。一栅极介电层是和嵌入在绝缘结构的ＭＩＭ电容器的电容器介电层采用相同的高介电材料...

本发明是一种垫重分布层与铜垫重分布层的制造方法，所述垫重分布层的制造方法，包括：提供一基底，其上具有为一第一保护层所露出的至少一接垫；顺应地形成一扩散阻障层以及一晶种层于该第一保护层与该接垫上；形成一图案化掩膜层于该晶种层上，以露出电性...

本发明是有关于一种嵌入高电压横向扩散金属氧化物半导体的快闪存储器制程，提供一种建构周边元件并同时建构快闪记忆体的方法。于快闪记忆体区形成一具有第一隔离层以及多晶硅的薄层结构，此第一隔离层形成于基材之上，且多晶硅形成于第一隔离层之上。形成...

本发明是有关于一种以埋入式区域内连线形成的静态随机存取记忆体及其方法。该静态随机存取记忆体（ＳＲＡＭ）单元包括有六个晶体管。此些储存节点是使用区域内连线（Ｌｏｃａｌ　　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｓ）来实作。第一层金属是置放在区域内连线的上...

本发明是有关于一种单一晶体管平面动态随机存取记忆体记忆胞及其制造方法，其具有增进的电荷保存时间与减少的漏电流。此方法至少包括提供一半导体基材，再于半导体基材上形成一闸极介电层。于闸极介电层上形成一平移晶体管结构，此平移晶体管结构相邻于一...