本发明涉及一种电化学电镀电解液及在电镀表面电镀金属的方法。该电化学电镀电解液中含有一聚合添加物，其包含具有芳香族与芳香胺官能基单体的低正电荷密度共聚物，该低正电荷密度聚合物包括苯或吡咯烷酮官能基单体及咪唑或咪唑衍生物官能基单体。使用该聚...

本发明涉及一种半导体接触窗联机结构及其形成的方法，此联机结构具有一绝缘衬底；一第一半导体组件，形成于该绝缘衬底上；一非导电性栅极内联机层，形成于该绝缘衬底上，该非导电性栅极内联机层连接第二半导体组件的栅极；以及一硅化物层，形成于该栅极内...

本发明提供一种磁阻式随机存取内存（ＭＲＡＭ）及集成电路组件。上述磁阻式随机存取内存包括一磁性穿隧接面（ＭＴＪ）堆栈，通过一低介电常数材料，与其它一或多个邻近的导电层及／或一或多个邻近的磁性穿隧接面（ＭＴＪ）堆栈相隔离。

一种在金属－绝缘体－金属（ｍｅｔａｌ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－ｍｅｔａｌ，ＭＩＭ）电容器制造中制作电极的方法。本方法通过在金属－绝缘体－金属电容制作中，在将上电极沉积在介电层上期间防止电浆伤害介电层，以及缩减或防止介电层与一电极或多个电极间...

本发明是关于一种具有钨插塞的稳定金属结构，在较佳实施例中，较厚的一般介电常数介电质形成于基材上。钨插塞形成于前述较厚的一般介电常数介电质中。此较厚的一般介电常数介电质为内缩，而较薄的低介电常数介电质则形成于此较厚的一般介电常数介电质上。...

本发明是一种集成电路晶体管与其形成方法，是用于ＬＤＤ离子布植制程的补偿间隙壁，此补偿间隙壁是不借由光微影与干蚀刻制程的全面性沉积所形成，此位于ＬＤＤ区上的补偿间隙壁在一离子布植制程中可防止基底损失硅与防止掺杂质的污染，且具有致密化的特性...

本发明是一种静态随机存取存储器元件，包括基材与ＳＲＡＭ存储单元。基材包括一Ｎ型掺杂区穿插于第一Ｐ型掺杂区与第二Ｐ型掺杂区之间。ＳＲＡＭ存储单元则包括：第一通路栅晶体管与第一拉降晶体管，其至少部分位于该第一Ｐ型掺杂区之上；第一与第二拉升晶...

本发明揭露一种光学微距校正方法，包括在侦测第一元件图案的一端点，该端点接近第二元件图案的一端点，再将朝向第一方向的第一光学微距校正图案加到第一元件图案上；以及将朝向第二方向的第二光学微距校正图案加到第二元件图案上，且第二方向大体上与第一...

本发明提供一种静态随机存储单元及半导体元件。该半导体元件包括一个主动区和一个绝缘区。主动区位于基板内，包括一个半导体材料。绝缘区也位于基板内，在主动区旁边，包括一个绝缘材料。主动区与绝缘区形成一个具有阶梯落差的表面。该半导体包括在该阶梯...

本发明涉及一种半导体内连线结构与避免其覆盖层和介电层间脱层的方法，所述半导体内连线结构，包含一半导体基底、一位于此半导体基底中的半导体主动元件、一低介电常数材料层、一第一与一第二导电层、以及一覆盖层。上述低介电常数材料层是位于半导体元件...

本发明是有关于一种磁性随机存取记忆体的写入线路及其制造方法，其中该磁性随机存取记忆体主要包括磁性穿隧式接面、第一写入线路以及正交于第一写入线路的第二写入线路，且第一写入线路与第二写入线路其中至少一者的宽度小于磁性穿隧式接面的宽度。本发明...

本发明提供一种半导体电路及其制作方法，半导体电路包含有一半导体基材、一半导体元件具有一漏极区域设于半导体基材上，以及一相反型掺杂区域水平设置于漏极区域旁并与漏极区域相接，其中相反型掺杂区域具有与漏极相反的掺质类型，且其掺质浓度高于半导体...

本发明提供一种熔丝电路，提供可预期的总阻抗，用以多次循环地烧录，该熔丝电路包括：多个熔丝阶，以串联方式排列。每一熔丝阶包括，一第一及第二连接节点、一熔丝、一第一、第二电阻。熔丝耦接于第一及第二连接节点之间。第一电阻的第一端耦接第一节点。...

本发明是关于一种硅上液晶显示器的间隙物与沟渠的制造方法，可用在多步骤蚀刻制程中用来制造硅上液晶显示器的间隙物与沟渠。其中包括提供一硅基板，其上依序具有介电绝缘层与金属画素电极。接着在此金属画素电极上沉积第二介电绝缘层。然后，在此第二介电...

本发明揭示一种形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法及多层半导体装置，所述形成覆盖层于含铜金属内连线上的方法，该方法包括下列步骤：提供半导体基板，包括具有含铜金属内连线的介电绝缘层，其中介电绝缘层以及含铜金属内连线具有一露出的表面；形成第一...

本发明提供一种半导体元件与其形成方法。该半导体元件包括：基底；位于该基底上的栅极；源极与漏极形成在栅极两侧的基底中；以及具有第一层与第二层的薄间隙壁形成于栅极侧壁，其中第一层与第二层具有在使用相同刻蚀剂时具有相当的刻蚀速率，这里相当的刻...

本发明是提供一种形成半导体元件及半导体影像感测器的方法，具体为改善介电层平坦度与均匀度以增强电荷耦合装置与互补式金属氧化物半导体影像感测器元件中光学效能的方法与系统。所述用以达到较佳光学效能的介电层平坦化方法是包含下列步骤。于多个金属图...

本发明是关于一种在一半导体元件制造中检测光阻残留的方法，包括在半导体元件表面上显影一光阻以暴露出部分表面，部分蚀刻复数个蚀刻路径以进入该半导体表面，检测并判定该些个蚀刻路径深度。

本发明涉及一种降低软性错误率的电阻性存储单元与其反相器及形成方法。存储单元包括第一位元线、与第一位元线对偶的第二位元线、第一通栅、第二通栅、第一反相器、第二反相器、第一装置与第二装置。第一通栅耦接至第一位元线，第二通栅耦接至第二位元线，...

一种具有增强被动层之集成电路，在一实施例中，集成电路具有半导体基板，多层内连线结构形成于基板之上，以及多层被动层结构覆盖多层内连线结构。多层内连线结构中至少有一个金属线具有渐缩之轮廓。