本发明是有关于一种在半导体晶圆上电镀导电材质的方法，当晶圆浸泡在电镀液时，藉由减小电镀制程的电流值，以避免形成的电镀导电材质产生缺陷。进一步地，当晶圆浸泡在电镀液之前，在晶圆上施加一静电荷，藉以提升用来控沉积速率的加速剂的吸收性，以改善...

一种集成电路芯片封装结构及其底部填充胶工艺，利用粘结材料以降低集成电路封装结构上倒装芯片边角的应力。此工艺包含提供位于承载基板上的屏蔽结构，于承载基板上黏附倒置的倒装芯片之锡铅凸块，再由倒装芯片与基板之间的多个注入点沿着倒装芯片的边缘注...

本发明涉及一种具有高介电常数材料的半导体装置，包括一基底，以及形成于基底上的高介电常数材料，此高介电常数材料最好是非结晶形的ＨｆＳｉＯＮ。在一较佳的实施例中，此高介电常数材料含有氮成分。在一较佳的实施例中，氮化硅层是使用喷射气相沉积法形...

本发明是关于一种半导体元件及其制造方法。该半导体制造方法包括使用多孔性及／或含碳的低介电常数介电层。此方法包括形成通式为Ｃ↓［ｘ］Ｈ↓［ｙ］的碳氢化合物层于低介电常数介电层的表面上。形成此碳氢化合物层时包括沉积前驱物质，较佳为乙烯（Ｃ↓...

本发明提供一种内连线结构及其形成方法，此形成方法包括在一导电区域上形成一第一介电材料，在该第一介电材料上形成一第一绝缘介电材料，在该第一绝缘介电材料中形成一第一开口，使用一第二介电材料覆盖该第一开口，在该第一绝缘介电材料之上形成一第二绝...

本发明是有关于一种半导体元件及其制程方法，该半导体元件至少包括：一基材；以及一位于基材之上的顶层，该顶层用于一浸润式微影制程中，且有一如小滴流体的混合物，存在于浸润式微影制程中的该混合物有一介于４０度及８０度间的接触角。该半导体元件的制...

本发明是关于一种半导体装置及其制造方法，其中半导体装置包括：一基底，其上设置有一栅极堆叠结构，其中该栅极堆叠结构包括依序设置于该基底的一部分上的一高介电常数介电层与一导体层；一抗氧化层，覆盖该堆叠栅极结构的侧壁；一绝缘间隔物，覆盖于该栅...

本发明是一种磁阻性随机存取存储阵列，具体涉及磁阻性随机存取存储器元件，包括一拥有磁阻堆叠的磁阻性随机存取存储器阵列。该磁阻性随机存取存储器阵列亦包括一系列耦接至该等磁阻堆叠的位线与字线。借该磁阻性随机存取存储器阵列的电路布局方式，可增加...

一种具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法。此方法包括沉积通式为Ｃ↓［ｘ］Ｈ↓［ｙ］的碳氢化合物层于低介电常数介电层的表面上。其中，沉积此碳氢化合物层时利用等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）工艺，并使用乙烯（Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］...

本发明提供一种微机电透明基底与其制程，其具有微机电系统位于其第一侧上，包括：形成不透明层于透明基底的与第一侧相反的第二侧上，不透明层包括第一材料，第一材料可由微机电系统释放制程移除；以及形成第二层于不透明层上，第二层包括第二材料，以防止...

本发明是有关于一种半导体制程中的微影系统及其方法和用于其中的光罩。该在半导体制程中的微影方法，包括下列步骤：提供一种具有第一及第二聚焦面的光罩，其中该第一及第二聚焦面不同；使用该光罩以在一晶圆上进行第一曝光，以形成一第一影像，其中第一聚...

本发明提供一种在半导体元件中形成铜接触的方法，具体为一种利用氢等离子与微量气体添加物作蚀刻后铜清洁的方法，以清洁因蚀刻而使铜暴露的表面，其中微量气体添加物约占等离子体积的３～１０％，且可为氮气或其它原子量为１５以上的物质。微量气体添加物...

本发明提供一种封装结构。上述封装结构包含：一基板，具有一接点；一晶片于上述基板上，上述晶片具有一主动表面，上述主动表面具有一中心区与一周边区，上述周边区上具有一电极；一图形化的盖板于上述晶片上，并曝露上述电极；一导体材料电性连接上述接点...

本发明是有关于一种集成电路基板的粘接垫结构，本发明提供了一种提供一集成电路芯片，其中此芯片包括一粘接垫结构。此粘接垫结构包括一粘接垫、一第一金属板和一第二金属板。此第一金属板位于粘接垫下方。此第一金属板具有一第一外观面积。第二金属板位于...

一种半导体元件之电容器与金属栅极之制造方法，至少包括在基材上形成虚拟（ｄｕｍｍｙ）栅极，在此基材上形成第一介电层并邻接此虚拟栅极，在此第一介电层层中形成电容器沟槽，在此电容器沟槽中形成下电极层，移除此虚拟栅极以提供栅极沟槽，在此电容器沟...

本发明提供一种半导体装置及其制造方法。一介电层位于具有一导体区的一半导体基底上，上述介电层的介电常数小于３．９。一氧碳化硅层位于上述介电层上、与一氧氮化硅层位于上述氧碳化硅层上。一导体层则嵌于上述氧氮化硅层、上述氧碳化硅层、与上述介电层...

本发明是有关于一种使用直接写入方式的晶圆修复方法及系统。该修复晶圆的方法，至少包括在一半导体晶圆中找出复数个缺陷区域的复数个位置与图案；将缺陷区域的位置与图案传送至一直接写入工具；在半导体晶圆上形成一光阻层；使用一能量光束，在缺陷区域中...

本发明提供一种半导体测试管理系统及方法。一部第二计算机以从一部第一计算机接收一报废规则，取得相应于报废规则的一初始报废设定值，当报废条件较松于或等于初始报废设定值时，储存报废规则为一统计控制／统计限制规则，取得一晶圆或一晶圆批次的一电性...

一种嵌入式非易失存储器元件之制造方法，其包括形成第一掩膜层于半导体基材上之晶胞区以及外围区之多晶硅层上，其中第一掩膜层于晶胞区内包括多个开口。接着，氧化上述开口所暴露出多晶硅层之多个部分，以形成多个多晶硅氧化区，然后去除第一掩膜层。之后...

一种半导体元件之制造方法，其利用超临界流体，如二氧化碳（ＣＯ↓［２］），来清洁形成于含硅介电材料层中之开口，并移除用以制造开口之蚀刻工艺中所产生之有机聚合残余物。上述之开口可为接触窗开口、介层窗开口或其它开口，且开口之剖面面积可小于０．...