使用直接写入方式的晶圆修复方法及系统技术方案

本发明专利技术是有关于一种使用直接写入方式的晶圆修复方法及系统。该修复晶圆的方法，至少包括在一半导体晶圆中找出复数个缺陷区域的复数个位置与图案；将缺陷区域的位置与图案传送至一直接写入工具；在半导体晶圆上形成一光阻层；使用一能量光束，在缺陷区域中局部地曝光光阻层；显影半导体晶圆上的光阻层；以及在曝光与显影后，处理光阻层下方的半导体晶圆。该修复晶圆的系统，至少包括：一检查工具，可在一半导体晶圆中找出复数个缺陷区域的复数个位置与图案；一直接写入工具，可局部地曝光该半导体晶圆；以及一资讯处理模组，用以在该检查工具与该直接写入工具之间，联系与传输该些缺陷区域的该些位置与图案。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造，特别是涉及一种藉由直接写入方式的半导体晶圆修复方法及系统。
技术介绍
在集成电路的制造中，常常会在半导体晶圆中使用不同的图案化制程来定义欲蚀刻的区域，而在图案化过程中及/或后续的蚀刻中，往往会有缺陷产生。这些缺陷可在蚀刻后检视(After-etching-inspection；AEI)阶段中找出。举例而言，会发现蚀刻区域被遗漏或只有部分蚀刻。这些图案化缺陷会降低产能及/或引起品质与可靠度问题。在目前的作业中，缺陷限度已经建立。超过此限度的具有图案化缺陷的晶圆会被废弃，而具有较少缺陷的晶圆则会继续进行制造。因此，将此限度建立在正确的数量上，以平衡废弃整个晶圆的损失与继续制造具有相当大量有缺陷晶粒的晶圆的额外支出，是很重要的。由此可见，上述现有的集成电路制造方法在方法及使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决现有的集成电路制造方法存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般集成电路制造方法又没有适切的方法能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的集成电路制造方法，便成了当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的集成电路制造方法存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的使用直接写入方式的晶圆修复方法，能够改进一般现有的集成电路制造方法，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计，并经反复试作及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，克服现有的半导体制造方法存在的缺陷，而提供一种新的修复晶圆的方法，所要解决的技术问题是使其采用直接写入法曝光，减少一昂贵的修复罩幕的使用，从而更加适于实用。本专利技术的另一目的在于，克服现有的半导体制造方法存在的缺陷，而提供一种新的修复晶圆的方法，所要解决的技术问题是使其在修复过程中使用直接写入方式处理，达到节省时间与花费的目的，从而更加适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种修复晶圆的方法，至少包括在一半导体晶圆中找出一或复数个缺陷区域的复数个位置与图案；将该些缺陷区域的该些位置与图案传送至一直接写入工具；使用一能量光束，在该些缺陷区域中局部地曝光一光阻；显影该曝光的光阻；以及利用该曝光的光阻来处理该半导体晶圆。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术措施来进一步实现。前述的修复晶圆的方法，其中所述的处理该半导体晶圆的步骤至少包括一制程，该制程是选自于由蚀刻法、离子植入法以及剥离法(Liftoff)所组成的一族群。前述的修复晶圆的方法，其中所述的处理该半导体晶圆的步骤至少包括使用一制程来蚀刻该半导体晶圆，该制程是选自于由干式蚀刻法、湿式蚀刻法、反应性离子蚀刻法(Reactive Ion Etching；RIE)及其组合所组成的一族群。前述的修复晶圆的方法，其中所述的能量光束至少包括一能量量子，该能量量子是选自于由电子、光子以及离子所组成的一族群。前述的修复晶圆的方法，其中所述的传送该些缺陷区域的该些位置与图案的步骤至少包括以该直接写入工具可读的一资料格式，提供该些缺陷区域的该些位置与图案。前述的修复晶圆的方法，其中所述的传送该些缺陷区域的该些位置与图案的步骤至少包括比较一晶圆影像与一参考影像。前述的修复晶圆的方法，其中所述的晶圆影像至少包括一蚀刻后检视(After-etching-inspection；AEI)晶圆影像及/或一显影后检视(After-developing-inspection；ADI)影像。前述的修复晶圆的方法，其中所述的参考影像至少包括该半导体晶圆的另一晶粒的一影像。前述的修复晶圆的方法，其中所述的晶圆影像至少包括一图案，该图案是选自于由接触孔、线、空白、对准标记及其组合所组成的一族群。前述的修复晶圆的方法，其中所述的局部地曝光该些缺陷区域的步骤至少包括局部地曝光该些缺陷区域的其中之一，直到处理完该些缺陷区域的所有部分。前述的修复晶圆的方法，其中所述的局部地曝光该些缺陷区域中的该者至少包括根据该些缺陷区域的位置资料，导引该能量光束至该些缺陷区域中的该者；以及根据该格式化资料，写入该些缺陷区域中的该者。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种修复晶圆的系统，至少包括一检查工具，可在一半导体晶圆中找出复数个缺陷区域的复数个位置与图案；一直接写入工具，可局部地曝光该半导体晶圆；以及一资讯处理模组，用以在该检查工具与该直接写入工具之间，联系与传输该些缺陷区域的该些位置与图案。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术措施来进一步实现。前述的修复晶圆的系统，其中所述的检查工具是一扫描式电子显微镜(SEM)、或一扫描式欧杰电子显微镜(Scanning Auger Microscope；SAM)或一扫描式光学显微镜。前述的修复晶圆的系统，其中所述的直接写入工具至少包括一能量光束，该能量光束是选自于由一电子束、一离子束以及一光束所组成的一族群。前述的修复晶圆的系统，其中所述的资讯处理模组至少包括一机构，以将该些缺陷区域的该些位置与图案的资料转换为该直接写入工具可读取的一格式。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本专利技术的主要
技术实现思路
如下本专利技术提供了一种修复晶圆的方法，至少包括下列步骤。首先，在一半导体晶圆中找出一个或复数个缺陷区域的复数个位置与图案。接着，将上述的缺陷区域的位置与图案传送至一直接写入工具。接下来，使用一能量光束，在缺陷区域中局部地曝光一光阻。然后，显影曝光的光阻。接着，利用曝光的光阻来处理半导体晶圆。依照本专利技术的一实施例，其中传送缺陷区域的位置与图案的步骤至少包括以直接写入工具可读的一资料格式，提供缺陷区域的位置与图案。其中传送缺陷区域的位置与图案的步骤至少包括比较一晶圆影像与一参考影像。上述的晶圆影像例如可为一蚀刻后检视(After-etching-inspection；AEI)晶圆影像、一显影后检视(After-developing-inspection；ADI)影像或半导体晶圆的另一晶粒的一影像。上述的局部地曝光缺陷区域的步骤至少包括局部地曝光缺陷区域的其中之一，直到处理完缺陷区域的所有部分。上述的缺陷区域至少包括复数个区域，这些区域遗漏了或部分完成一标的制程。又，为了达到上述目的，本专利技术还提供了一种修复晶圆的系统，至少包括一检查工具、一直接写入工具以及一资讯处理模组。检查工具可在一半导体晶圆中找出复数个缺陷区域的复数个位置与图案。直接写入工具可局部地曝光半导体晶圆。资讯处理模组用以在检查工具与直接写入工具之间，联系与传输缺陷区域的位置与图案。资讯处理模组至少包括一机构，以将缺陷区域的位置与图案的资料转换为直接写入工具可读取的一格式。经由上述可知，本专利技术一种修复晶圆的方法，至少包括在一半导体晶圆中找出复数个缺陷区域的复数个位置与图案；将缺陷区域的位置与图案传送至一直接写入工具；在半导体晶圆上形成一光阻层；使用一能量光束，在缺陷区域中局部地曝光光阻层；显影半导体晶圆上的光阻层；以及在曝光与显影后，处理光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种修复晶圆的方法，其特征在于至少包括以下步骤：在一半导体晶圆中找出一或复数个缺陷区域的复数个位置与图案；将该些缺陷区域的该些位置与图案传送至一直接写入工具；使用一能量光束，在该些缺陷区域中局部地曝光一光阻； 显影该曝光的光阻；以及利用该曝光的光阻来处理该半导体晶圆。

【技术特征摘要】
US 2005-1-5 11/029,9921.一种修复晶圆的方法，其特征在于至少包括以下步骤在一半导体晶圆中找出一或复数个缺陷区域的复数个位置与图案；将该些缺陷区域的该些位置与图案传送至一直接写入工具；使用一能量光束，在该些缺陷区域中局部地曝光一光阻；显影该曝光的光阻；以及利用该曝光的光阻来处理该半导体晶圆。2.根据权利要求1所述的修复晶圆的方法，其特征在于其中该处理该半导体晶圆的步骤至少包括一制程，该制程是选自于由蚀刻法、离子植入法以及剥离法所组成的一族群。3.根据权利要求1所述的修复晶圆的方法，其特征在于其中该处理该半导体晶圆的步骤至少包括使用一制程来蚀刻该半导体晶圆，该制程是选自于由干式蚀刻法、湿式蚀刻法、反应性离子蚀刻法及其组合所组成的一族群。4.根据权利要求1所述的修复晶圆的方法，其特征在于其中该能量光束至少包括一能量量子，该能量量子是选自于由电子、光子以及离子所组成的一族群。5.根据权利要求1所述的修复晶圆的方法，其特征在于其中该传送该些缺陷区域的该些位置与图案的步骤至少包括以该直接写入工具可读的一资料格式，提供该些缺陷区域的该些位置与图案。6.根据权利要求5所述的修复晶圆的方法，其特征在于其中该传送该些缺陷区域的该些位置与图案的步骤至少包括比较一晶圆影像与一参考影像。7.根据权利要求6所述的修复晶圆的方法，其特征在于其中该晶圆影像至少包括一蚀刻后检视晶圆影像及/或一显影后检视影像。8.根据权利要求6所述的修复晶圆的...

【专利技术属性】
技术研发人员：林进祥，林本坚，高蔡胜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]