【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于一种半导体装置及其制造方法，特别是关于一种具有低介电常数的间隙壁材料的半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、由于各种电子元件(例如晶体管、二极管、电阻、电容等)的集成密度持续的改善，半导体产业已经历指数成长。最重要的是，集成密度的改善是来自最小特征尺寸的持续缩减，其使得较多的元件被整合在特定面积中。
技术实现思路
1、本揭露的一态样是提供一种半导体装置的制造方法。方法包含将腔室抽真空至压力低于约1torr；加热腔室至温度超过约400℃；通入前驱物至腔室中；以第一电浆分解前驱物；基于被分解的前驱物，沉积第一层在半导体装置的表面上；致密化前驱物，以形成第一栅极间隙壁；于形成第一层后，通入前驱物至腔室中；以第二电浆分解前驱物，其中第二电浆不同于第一电浆；基于被分解的前驱物，沉积不同于第一层的第二层在半导体装置的表面上；以及致密化前驱物，以形成第二栅极间隙壁。
2、本揭露的另一态样是提供一种半导体装置的制造方法。方法包含通入前驱物至腔室；以第一电浆分解前驱物，其中第一电浆...
【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该半导体装置包含一鳍式场效晶体管，且该方法还包含：
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含：
6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含：
7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该第一功率位准及该第三功率位准的每一...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中
3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，其中该半导体装置包含一鳍式场效晶体管，且该方法还包含：
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含：
5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含：
6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，还包含：
7.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖书翎，程德恩，叶乃瑜，鍾明翰，王俊尧，卢永诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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