【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体制造技术，且特别涉及一种包括有应力应变膜层的。
技术介绍
半导体装置的操作借助自由移动的带电粒子通过晶格结构(crystalline lattice structure)而达成。理想状态下，这些移动的带电粒子将通过半导体的晶格而不会与晶格产生碰撞或与其他原子交互作用，此交互作用将必然地阻止粒子的行进。因此，材料的电阻率(即为材料对于通过该材料的移动带电粒子的阻抗能力)将随着粒子与晶格之间交互作用的增加而变大。规则排列的晶格也与其内的自由粒子交互作用，因此相对于不规律排列的晶格，例如为经常处于经邻近材料应变(strain)影响的晶格，规则排列的晶格将具有较高的电阻率。相反地，经应变晶格(strainedcrystalline lattice)将具有一较高的带电粒子迁移率(chargedpartical mobility)，此已为Scott E.Thompson等人于标题为“A 90-nm Logic Technology Featuring Strained-silicon”，IEEE TRANS.ELEC.DEV，at 11-2004(...
【技术保护点】
一种半导体装置，包括：一半导体基底，该半导体基底包括多个导电通道区；多个金属硅化物于该半导体基底上；一应变诱发层于这些金属硅化物上，该应变诱发层具有低浓度的单核双原子化学键。
【技术特征摘要】
US 2004-12-2 10/904,8741.一种半导体装置，包括一半导体基底，该半导体基底包括多个导电通道区；多个金属硅化物于该半导体基底上；一应变诱发层于这些金属硅化物上，该应变诱发层具有低浓度的单核双原子化学键。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该应变诱发层为氮化硅层，而该氮化硅层包括高浓度的硅-氮键结以及低浓度的硅-氢、氮-氢键结，以于这些导电通道区内的晶格结构内诱发一增高应变。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，于相同操作条件下，相较于不包括这些应变诱发层的一晶体管的饱和电流，该应变诱发层于这些导电通道区诱发了一应力，增加包括这些导电通道区的一晶体管的至少10％的饱和电流。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该应变诱发层包括选自由氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、未掺杂的硅玻璃、掺杂磷的硅玻璃、以及未掺杂的硅玻璃与掺杂磷的硅玻璃的混合物所组成的群的一材料。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该应变诱发层选自由未掺杂的硅玻璃、掺杂磷的硅玻璃、以及未掺杂的硅玻璃与掺杂磷的硅玻璃的混合物所组成的群的一旋涂材料。6.一种半导体装置的制造方法，适用于一半导体基板上形成电路元件以及于该半导体基板内形成导电通道区，包括下列步骤形成多个金属硅化物于该半导体基底上；形成一应变诱发层于这些金属硅化物上；提供一处理程序于该应变诱发层，以增加该应变诱发...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴振诚，黄玉莲，卢永诚，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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