微机电元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供一微机电元件及其制造方法与Ｐ型沟道晶体管的制造方法。微机电元件的制造方法，是包含于半导体基底上形成一Ｐ型沟道晶体管，此方法乃通过于该基底上形成栅极结构且于基底内形成少量掺杂的源极／漏极区域。于邻近多晶硅栅极结构的相反侧壁形成氧化衬层与氮化物间隙壁，且于半导体基底的氧化衬层相反侧蚀刻出一凹蚀处。于氧化衬层上的任一侧形成凸起的硅锗源极／漏极区域，且于氧化衬层上形成一细薄间隙壁。在凸起的硅锗源极与漏极区域形成期间，一多晶硅栅极结构上的硬掩膜为用以保护复晶硅栅极结构。最后，于包含硅锗区域的基底中注入源极／漏极掺杂物。本发明专利技术可改善电性效能表现，并避免存在于元件的组成及／或材料间的冲突。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关美国专利号U.S.10/810,950，该篇专利于2004年3月25日申请，本篇专利其后说明是参考该篇美国专利。进一步的，本专利技术是涉及半导体制造领域，特别有关于微机电元件及其制造方法与P型沟道晶体管的制造方法。
技术介绍
一集成电路(IC)是以量产制程而建构半导体基底上的一或多个元件，例如电路零组件。随着量产制造制程技术与材料改良，半导体元件的几何尺寸持续缩小，因此在几世纪前即首次导入这样的元件。例如，现行的制造流程为制造几何尺寸小于90纳米的元件(如微小零组件(或导线)可以此制程制造)。然而，元件及尺寸的缩减经常需要克服种种的挑战。随着微机电元件尺寸逐渐缩小至65纳米以下，电性效率逐渐成为影响元件表现的重要课题。微机电元件合并的组成与材料会严重影响如电流增益之类的微机电元件效能。因此，有些冲突本质上会存在于现今微机电元件所使用的组成及/或材料之间。据此，现今在该领域内所迫切需要的是能解决上述讨论课题的微机电元件及其制造方法。
技术实现思路
本专利技术的目的为提供一包含于外延层的源极与漏极区域，且配合形成一具不同梯度的掺杂区域，使电子空穴迁移率产生改变，进而达到改本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微机电元件的制造方法，所述微机电元件的制造方法是包括：于一基底上形成一栅极；于该基底的邻近该栅极处形成一外延层；于邻近该栅极处形成一细薄间隙壁；以及于该基底上形成一源极与漏极区域，其是包含于该外延层之内。

【技术特征摘要】
US 2004-9-9 10/937,7221.一种微机电元件的制造方法，所述微机电元件的制造方法是包括于一基底上形成一栅极；于该基底的邻近该栅极处形成一外延层；于邻近该栅极处形成一细薄间隙壁；以及于该基底上形成一源极与漏极区域，其是包含于该外延层之内。2.根据权利要求1所述的微机电元件的制造方法，其特征在于更包括于形成该外延层之前，在一栅极上表面形成一硬掩膜；以及于形成该外延层之后，自该栅极的该上表面移除该硬掩膜。3.根据权利要求1所述的微机电元件的制造方法，其特征在于更包括于形成该外延层之前，在该栅极的侧表面处形成一粗厚间隙壁。4.根据权利要求1所述的微机电元件的制造方法，其特征在于该形成细薄间隙壁的步骤是包括于形成该外延层后或形成该源极与漏极区域前，蚀刻该粗厚间隙壁。5.根据权利要求1所述的微机电元件的制造方法，其特征在于更包括于该间隙壁与该基底之上形成一钳止层。6.根据权利要求3所述的微机电元件的制造方法，其特征在于更包括于形成该粗厚间隙壁前注入一第一掺杂物。7.根据权利要求3所述的微机电元件的制造方法，其特征在于更包括于形成该粗厚间隙壁前形成一氧化衬层；及当形成该细薄间隙壁时，留下相同宽度的该氧化衬层。8.根据权利要求1所述的微机电元件的制造方法，其特征在于该元件是为一P-沟道晶体管且该外延层为硅锗或硅。9.一种微机电元件，所述微机电元件是包括一于半导体基底上的栅极结构且其提供选择性操作该半导体基底内的一应变P-沟道；源极与漏极区域，其是包括一位于邻近该沟道且延伸至该半导体基底的一第一深度的第一掺杂区域；一位于邻近该第一掺杂区域且延伸至该半导体基底的一第二深度的第二掺杂区域，其中该第二深度较第一深度为深；以及一位于邻近该第二掺杂区域且延伸至该半导体基底的一第三深度的第三掺杂区域，其中该第三深度较第二深度为深。10.根据权利要求9所述的微机电元件，其特征在于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄健朝，黄正权，杨富量，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]