非挥发性存储器结构及其制造方法技术

一种非挥发性存储器结构，其是由基底、多个栅极结构、多个选择栅极结构、间隙壁与源极区／漏极区所构成。其中，各个栅极结构由基底起至少是由底介电层、电荷陷入层、顶介电层、控制栅极与顶盖层所构成。多个选择栅极结构分别设置于多个栅极结构的一侧，并使多个栅极结构串联在一起，形成存储单元列，各个选择栅极结构由基底起至少是由选择栅极介电层与选择栅极所构成。间隙壁设置于栅极结构与选择栅极之间。源极区／漏极区分别设置于存储单元列两侧的基底中。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件，特别是涉及一种。
技术介绍
在各种非挥发性存储器产品中，具有可进行多次数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点的可电抹除且可编程只读存储器(EEPROM)，已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。典型的可电抹除且可程序只读存储器以掺杂的多晶硅(polysilicon)制作浮置栅极(floating gate)与控制栅极(control gate)。而且，为了避免典型的可电抹除且可程序只读存储器在抹除时，因过度抹除现象太过严重，而导致数据的误判的问题。而在控制栅极与浮置栅极侧壁、基底上方另设一选择栅极(select gate)，而形成分离栅极(Split-gate)结构。此外，在现有技术中，亦有采用一电荷陷入层(charge trapping layer)取代多晶硅浮置栅极，此电荷陷入层的材料例如是氮化硅。这种氮化硅电荷陷入层上下通常各有一层氧化硅，而形成氧化硅/氮化硅/氧化硅(oxide-nitride-oxide，简称ONO)复合层。图1为绘示为美国专利US5930631号案所揭露一种具有分离栅极(Split本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性存储器结构，包括：一基底，多个栅极结构，设置于该基底上，各该栅极结构由该基底起至少包括一底介电层、一电荷陷入层、一顶介电层、一控制栅极与一顶盖层；多个选择栅极结构，分别设置于各个该些栅极结构的一侧，并使该 些栅极结构串联在一起，形成一存储单元列，各该选择栅极结构由该基底起至少包括一选择栅极介电层与一选择栅极；一间隙壁，设置于该些栅极结构与该些选择栅极之间；以及一源极区／漏极区，分别设置于该存储单元列两侧的该基底中。

【技术特征摘要】
1.一种非挥发性存储器结构，包括一基底，多个栅极结构，设置于该基底上，各该栅极结构由该基底起至少包括一底介电层、一电荷陷入层、一顶介电层、一控制栅极与一顶盖层；多个选择栅极结构，分别设置于各个该些栅极结构的一侧，并使该些栅极结构串联在一起，形成一存储单元列，各该选择栅极结构由该基底起至少包括一选择栅极介电层与一选择栅极；一间隙壁，设置于该些栅极结构与该些选择栅极之间；以及一源极区/漏极区，分别设置于该存储单元列两侧的该基底中。2.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该些选择栅极填满该些栅极结构之间的间隙。3.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该电荷陷入层的材料包括氮化硅。4.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该底介电层与该顶介电层的材料包括氧化硅。5.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该控制栅极及该选择栅极的材料包括多晶硅。6.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中选择栅极介电层的厚度为160埃～170埃左右。7.一种非挥发性存储器结构，包括一栅极结构，该栅极结构由一基底起至少包括一底介电层、一电荷陷入层、一顶介电层、一控制栅极与一顶盖层；一选择栅极，设置于该栅极结构的一侧；一间隙壁，设置于该栅极结构与该选择栅极之间；一选择栅极介电层，设置于该选择栅极与该基底之间；一源极区，设置于该栅极结构不与该选择栅极相邻的一侧的该基底中；以及一漏极区，设置于该选择栅极不与该栅极结构相邻的一侧的该基底中。8.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该电荷陷入层的材料包括氮化硅。9.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该底介电层的材料包括氧化硅。10.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该顶介电层的材料包括氧化硅。11.一种非挥发性存储器的制造方法，包括提供...

【专利技术属性】
技术研发人员：许正源，洪至伟，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]