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一种非挥发性存储器结构，其是由基底、多个栅极结构、多个选择栅极结构、间隙壁与源极区／漏极区所构成。其中，各个栅极结构由基底起至少是由底介电层、电荷陷入层、顶介电层、控制栅极与顶盖层所构成。多个选择栅极结构分别设置于多个栅极结构的一侧，并使多...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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