非挥发性存储器的制造方法技术

一种非挥发性存储器的制造方法，主要在于基底上依序形成底介电层、电荷陷入层、顶介电层及导体层。接着移除导体层、顶介电层、电荷陷入层、底介电层及基底的部分以形成多个沟槽。接着于沟槽中填入绝缘层以形成多个隔离结构。接着于导体层及隔离结构上形成多条字线。接着以字线为掩模移除底介电层、电荷陷入层、顶介电层、导体层及隔离结构的部分以形成多个元件结构。由于底介电层具有两种以上的厚度，因此元件结构可随着底介电层的厚度不同而相对具有不同的特性表现，可作为特性不同的存储单元或周边电路元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体存储器元件(Semiconductor Memory)的制造方法，特别是涉及一种非挥发性存储器(Non-Volatile Memory)的制造方法。
技术介绍
在各种非挥发性存储器产品中，具有可进行多次数据的存入、读取、抹除等动作，且存入的数据在断电后也不会消失的优点的可电抹除且可程序只读存储器(EEPROM)，已成为个人计算机和电子设备所广泛采用的一种存储器元件。典型的可电抹除且可程序只读存储器以掺杂的多晶硅(polysilicon)制作浮置栅极(floating gate)与控制栅极(control gate)。而且，控制栅极直接设置在浮置栅极上，浮置栅极与控制栅极之间以介电层相隔，而浮置栅极与基底间以穿隧氧化层(Tunneling Oxide)相隔。其利用控制栅极上所施加的正或负电压来控制浮置栅极中的电荷的注入与排出，以达到存储的功能。然而，当多晶硅浮置栅极层下方的穿隧氧化层有缺陷存在时，就容易造成元件的漏电流，影响元件的可靠性。因此，为了解决可电抹除可程序只读存储器元件漏电流的问题，目前的方法是采用一电荷陷入层(charge trapping la本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供一基底，该基底至少可分为一存储单元区及一周边电路区；于该存储单元区上形成一第一底介电层，并于该周边电路区上形成一第二底介电层，该第二底介电层的厚度大于该第一底介电层的厚度；于该基底上形成一电荷陷入层；　于该电荷陷入层上形成一顶介电层；于该顶介电层上形成一导体层；于该导体层上形成一图案化掩模层；以该图案化掩模层为掩模，移除部分该导体层、该顶介电层、该电荷陷入层、该第一底介电层、该第二底介电层，以于该存储单元区形成一第一栅极结构，于该周边电路区形成一第二栅极结构；以及于该第一栅极结构及该第二栅极结构两侧的该基底中分别形成一源极区／漏极区。

【技术特征摘要】
1.一种非挥发性存储器的制造方法，包括提供一基底，该基底至少可分为一存储单元区及一周边电路区；于该存储单元区上形成一第一底介电层，并于该周边电路区上形成一第二底介电层，该第二底介电层的厚度大于该第一底介电层的厚度；于该基底上形成一电荷陷入层；于该电荷陷入层上形成一顶介电层；于该顶介电层上形成一导体层；于该导体层上形成一图案化掩模层；以该图案化掩模层为掩模，移除部分该导体层、该顶介电层、该电荷陷入层、该第一底介电层、该第二底介电层，以于该存储单元区形成一第一栅极结构，于该周边电路区形成一第二栅极结构；以及于该第一栅极结构及该第二栅极结构两侧的该基底中分别形成一源极区/漏极区。2.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中于该存储单元区上形成该第一底介电层，并于该周边电路区上形成该第二底介电层的步骤包括于该基底上形成一第三介电层；于该第三介电层上形成一第一图案化光掩模层；以该第一图案化光掩模层为掩模，移除位于该存储单元区上的该第三介电层；移除该第一图案化光掩模层；以及于该基底上形成该第一介电层，且该周边电路区的该第一介电层覆盖在该第三介电层之上而形成该第二介电层。3.如权利要求2所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该第三介电层的形成方法包括热氧化法。4.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该第一底介电层、该第二底介电层与该顶介电层的材料包括氧化硅。5.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该电荷陷入层的材料包括氮化硅。6.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中该导体层的材料包括掺杂多晶硅。7.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中还包括于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间形成一元件隔离结构。8.如权利要求1所述的非挥发性存储器的制造方法，其中于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间形成该元件隔离结构的步骤包括以该图案化掩模层为掩模，移除部分该基底，以于该基底中形成一沟槽；于该沟槽中填入一绝缘层；以及移除该图案化掩模层与部分该绝缘层直到暴露出该导体层表面，以形成该元件隔离结构。9.如权利要求8所述的非挥发性...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱建隆，庄仁吉，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]