包括埋藏闪速存储器的存储器结构的系统及方法技术方案

一种结合多个嵌入式闪速存储器的存储器结构。这些闪速存储器可以用于如错误校正单元或备用存储器或额外存储器单元。一方面，闪速存储器单元堆叠在闪速存储器单元的顶部，且这些闪速存储器单元共用栅极层。另一方面，这些对堆叠的闪速存储器单元互相堆叠，且每一对以绝缘氧化层绝缘。另一方面，这些对堆叠的闪速存储器单元以未绝缘的配置互相堆叠。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及存储器结构，尤其涉及包括嵌入式闪速存储器的存储器结构的设计、制造及使用。
技术介绍
许多公知的存储器设备使用闪速存储器单元。许多公知的闪速存储器单元使用浮栅技术，当施加编程电压时，存储一位或多位的信息于浮栅中。浮栅闪速存储器设备的操作为本领域的技术人员所知，为简洁起见说明书在此将不赘述。最近，可以符合增加存储器密度的需求的其他技术取代浮栅技术，举例来说，SONOS(硅-氧-氮-氧-硅化物)技术已成为许多应用的主流。在SONOS单元中，单元包括硅化层(S)、氧化层(O)、氮化层(N)、另一氧化层(O)及另一硅化层(S)。适当的编程电压施加于SONOS堆叠，产生一位的数据或电荷以存储于氮化层中。通过施加适当的读取电压于SONOS单元，可以决定这个单元是否已被编程。虽然公知的存储器单元的设计，如SONOS的发展，已具有相当的进展，然而公知存储器结构无法必然符合新技术持续推进的存储器新需求。就此，未来这样的需求将持续甚至增加，发展存储器结构设计及制造的新技术是很重要的，其中的一种新技术包括薄膜存储器单元。薄膜沉积为将材料的薄膜沉积于衬底或先前沉积层上的任何一种技术。薄是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器结构，包括：硅衬底闪速存储器单元结构，包括硅衬底闪速存储器单元；以及薄膜闪速存储器单元结构，包括薄膜闪速存储器单元，该薄膜闪速存储器单元结构形成于该硅衬底闪速存储器单元结构之上。

【技术特征摘要】
US 2005-10-21 11/255,4831.一种存储器结构，包括硅衬底闪速存储器单元结构，包括硅衬底闪速存储器单元；以及薄膜闪速存储器单元结构，包括薄膜闪速存储器单元，该薄膜闪速存储器单元结构形成于该硅衬底闪速存储器单元结构之上。2.如权利要求1所述的存储器结构，其中该硅衬底闪速存储器单元为硅-氧-氮-氧-硅化物闪速存储器单元。3.如权利要求1所述的存储器结构，其中该薄膜闪速存储器单元为硅-氧-氮-氧-硅化物闪速存储器单元。4.如权利要求1所述的存储器结构，其中该硅衬底闪速存储器单元及该薄膜闪速存储器单元包括由共用的多晶硅栅极层所形成的栅极。5.如权利要求1所述的存储器结构，还包括多个包括薄膜闪速存储器单元的薄膜闪速存储器单元结构，该薄膜闪速存储器单元结构形成于该硅衬底闪速存储器单元结构之上。6.如权利要求5所述的存储器结构，其中该多个薄膜闪速存储器单元结构中至少一些薄膜闪速存储器单元结构与其他薄膜闪速存储器单元结构通过绝缘氧化层而绝缘。7.如权利要求5所述的存储器结构，其中该多个薄膜闪速存储器单元结构中至少一些薄膜闪速存储器单元结构共用多晶硅衬底。8.如权利要求5所述的存储器结构，其中该多个薄膜闪速存储器单元结构中至少一些薄膜闪速存储器单元结构包括共用的多晶硅栅极层所形成的栅极。9.如权利要求1所述的存储器结构，其中该硅衬底闪速存储器单元作为冗余单元。10.如权利要求1所述的存储器结构，其中该硅衬底闪速存储器单元用作为错误校正单元。11.如权利要求1所述的存储器结构，其中该硅衬底闪速存储器单元及该薄膜闪速存储器单元形成四位存储器单元。12.一种制造存储器结...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴昭谊，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]