具有自行对准导线的结构及其制造方法技术

一种具有自行对准导线的结构及其制造方法，首先，提供一基底，此基底中已形成多个隔离结构，且隔离结构突出于基底表面，而相邻隔离结构间定义出一有源区，此有源区中已形成多个元件。接着，于基底上形成一导体材料层以覆盖隔离结构与有源区。之后，以隔离结构为移除终止层，移除部分导体材料层至暴露出隔离结构表面，而在有源区上自行形成多个导线以电连接元件。当元件的尺寸往下限缩时，自行对准导线的尺寸将不会受到光刻工艺的设计定律的限制，而可以有效地电连接半导体元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件与半导体工艺，特别是涉及一种具有自行对准导线(self-aligned conductive line)的结构及其制造方法。
技术介绍
现代半导体工业将许多电子元件与导线，利用半导体工艺制作于硅晶片基底当中。并且，由于光刻蚀刻工艺的导入，而可以将许多电子元件与导线缩小并制作于硅晶片上，以制作具有各式各样功能的半导体元件。以在硅晶片上制作存储器为例，于硅晶片上制作完成存储单元后，必须再制作导线(字线)以连接各个存储单元，以使其正常运作。图1A为一闪存阵列的上视示意图。请参照图1A，此闪存阵列的隔离结构110为条状布局，隔离结构110用以定义出有源区120，而在有源区120中已形成多个存储单元(未绘示)。导线140a(字线)制作于有源区120之上，以电连接各个存储单元。关于导线140a的作法，现有技术利用光刻蚀刻技术来加以制作。图1B与图1C为图1A中沿着A-A’剖面线的剖面，绘示导线的制作流程的剖面示意图，请共同参照图1B与图1C。如图1B所绘示，在基底100中已经形成多个条状布局的隔离结构110，隔离结构110之间定义出有源区120，且在有源区120中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自行对准导线的制造方法，包括：提供一基底，该基底中已形成多个隔离结构，且该些隔离结构突出于该基底表面，而相邻该些隔离结构间定义出一有源区，该有源区中已形成多个元件；于该基底上形成一导体材料层以覆盖该些隔离结构与该有源区；以及以该些隔离结构为移除终止层，移除部分该导体材料层至暴露出该些隔离结构表面，而在该有源区上形成多个导线以电连接该些元件。

【技术特征摘要】
1.一种自行对准导线的制造方法，包括提供一基底，该基底中已形成多个隔离结构，且该些隔离结构突出于该基底表面，而相邻该些隔离结构间定义出一有源区，该有源区中已形成多个元件；于该基底上形成一导体材料层以覆盖该些隔离结构与该有源区；以及以该些隔离结构为移除终止层，移除部分该导体材料层至暴露出该些隔离结构表面，而在该有源区上形成多个导线以电连接该些元件。2.如权利要求1所述的自行对准导线的制造方法，其中该导体材料层的材料包括多晶硅或金属。3.如权利要求1所述的自行对准导线的制造方法，其中该导体材料层的形成方法包括物理气相沉积法或化学气相沉积法。4.如权利要求1所述的自行对准导线的制造方法，其中部分该导体材料层的移除方法包括化学机械研磨法或回蚀法。5.如权利要求1所述的自行对准导线的制造方法，其中该些导线为字线。6.如权利要求1所述的自行对准导线的制造方法，其中该些隔离结构的形成方法包括浅沟槽隔离法。7.如权利要求1所述的自行对准导线的制造方法，其中该些元件包括多个半导体元件。8.如权利要求7所述的自行对准导线的制造方法，其中该些半导体元件包括沟槽式元件。9.一种自行对准导线的制造方法，包括提供一基底，该基底中已形成多个隔离结构，且该些隔离结构突出于该基底表面，而相邻该些隔离结构间定义出一有源区，且在该有源区中形成多个沟槽式元件，每一该些沟槽式元件包括一穿隧氧化层，形成于该有源区中的一沟槽表面；一控制栅极；两浮置栅极，形成于该控制栅极的两侧；一介电层，形成于该控制栅极与两该些浮置栅极之间并覆盖其上；于该基底上形成一导体材料层以覆盖该些隔离结构与该有源区；以及以该些隔离结构为移除终止层，移除部分该导体材料层至暴露出该些隔离结构表面，而在该有源区上形成一导线以电连接该有源区中的该些沟槽式元件。10.如权利要求9所述的自行对准导线的制造方法，其中该导体材料层的材料包括多晶硅或金属。11.如权利要求9所述的自行对准导线的制造方法，其中该导体材料层的形成方法包括物理气相沉积法或化学气相沉积法。12.如权利要求9所述的自行对准导线的制造方法，其中部分该导体材料层的移除方法包括化学机械研磨法或回蚀法。13.如权利要求9所述的自行对准导线的制造方法，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：许汉杰，张骕远，黄明山，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]