单次可程序化只读存储器的制造方法技术

一种单次可程序化只读存储器的制造方法，此方法先提供基底，于基底上依序形成穿隧氧化层、第一导体层、掩模层及第一图案化光致抗蚀剂层。之后，以第一图案化光致抗蚀剂层为掩模，于基底中形成沟槽。接着，形成绝缘层填满沟槽。然后，移除部分绝缘层。之后，形成预定为浮置栅极的部分第一导体层，再于其上形成顶盖层。接着，移除掩模层，并于基底上依序形成第二导体层及第二图案化光致抗蚀剂层。继之，以第二图案化光致抗蚀剂层及顶盖层为掩模，形成字线及浮置栅极。最后，移除第二图案化光致抗蚀剂层，以及分别于字线与浮置栅极两侧的基底中形成源极／漏极区。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体元件，特别是涉及一种单次可程序化只读存储器(non-volatile memory)的制造方法。
技术介绍
当半导体进入深次微米(Deep Sub-Micron)的工艺时，元件的尺寸逐渐缩小，对于存储器元件而言，也就是代表存储单元尺寸愈来愈小。另一方面，随着信息电子产品(如计算机、移动电话、数码相机或个人数字助理(PersonalDigital Assistant，PDA))需要处理、储存的数据日益增加，在这些信息电子产品中所需的存储器容量也就愈来愈大。随着半导体工艺技术的不断改进，半导体工艺的趋势就必须朝向提升晶片构装密度发展，致力于缩小各元件的尺寸大小，使得元件的集成度提升。对于这种尺寸变小而存储器容量却需要增加的情形，如何制造尺寸缩小、高集成度，又能兼顾其品质的存储器元件是产业的一致目标。依据读/写功能的差异，存储器可以简单的区分为两类只读存储器(ReadOnly Memory；ROM)与随机存取存储器(Random Access Memory，RAM)。其中，因为只读存储器所存入的记忆或数据不会因为电源供应的中断而消失，因此又称为“非挥发性存储器”本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单次可程序化只读存储器的制造方法，包括：提供一基底；于该基底上形成一穿隧介电层；于该穿隧介电层上形成一第一导体层；于该第一导体层上形成一图案化掩模层；以该图案化掩模层为屏蔽，移除部分该第一导体层、 该穿隧介电层、该基底，并于其中形成一元件隔离结构；移除部分该图案化掩模层以暴露出预定形成一浮置栅极的部分该第一导体层；于暴露出的该第一导体层上形成一顶盖层；移除该图案化掩模层；于该基底上形成一第二导体层； 于该第二导体层上形成一第二图案化光致抗蚀剂层...

【技术特征摘要】
1.一种单次可程序化只读存储器的制造方法，包括提供一基底；于该基底上形成一穿隧介电层；于该穿隧介电层上形成一第一导体层；于该第一导体层上形成一图案化掩模层；以该图案化掩模层为屏蔽，移除部分该第一导体层、该穿隧介电层、该基底，并于其中形成一元件隔离结构；移除部分该图案化掩模层以暴露出预定形成一浮置栅极的部分该第一导体层；于暴露出的该第一导体层上形成一顶盖层；移除该图案化掩模层；于该基底上形成一第二导体层；于该第二导体层上形成一第二图案化光致抗蚀剂层；以该第二图案化光致抗蚀剂层及该顶盖层为掩模，移除部分该第二导体层及该第一导体层，以形成一字线及该浮置栅极；移除该第二图案化光致抗蚀剂层；以及于该字线与该浮置栅极外侧及两者之间的该基底中分别形成一掺杂区。2.如权利要求1所述的单次可程序化只读存储器的制造方法，其中形成该穿隧介电层的方法包括热氧化法。3.如权利要求1所述的单次可程序化只读存储器的制造方法，其中形成该顶盖层的方法包括热氧化法。4.如权利要求1所述的单次可程序化只读存储器的制造方法，其中移除该第二图案化光致抗蚀剂层的步骤后，还包括分别于该字线与该浮置栅极外侧及两者之间的该基底中形成一淡掺杂区。5.如权利要求4所述的单次可程序化只读存储器的制造方法，其中形成该淡掺杂区的步骤后，还包括于该字线与该浮置栅极的侧壁形成一第一间隙壁。6.如权利要求5所述的单次可程序化只读存储器的制造方法，其中形成该第一间隙壁的方法，包括于该基底上形成一绝缘材料层；以及进行一各向异性蚀刻工艺，移除部分该绝缘材料层。7.如权利要求4所述的单次可程序化只读存储器的制造方法，其中形成该淡掺杂区的步骤前，还包括于该字线与该浮置栅极的侧壁形成一第二间隙壁。8.如权利要求7所述的单次可程序化只读存储器的制造方法，其中形成该第二间隙壁的方法包括热氧化法。9.如权利要求7所述的单...

【专利技术属性】
技术研发人员：张格荥，陈东波，赖东明，徐震球，
申请(专利权)人：力晶半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]