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一种单次可程序化只读存储器的制造方法，此方法先提供基底，于基底上依序形成穿隧氧化层、第一导体层、掩模层及第一图案化光致抗蚀剂层。之后，以第一图案化光致抗蚀剂层为掩模，于基底中形成沟槽。接着，形成绝缘层填满沟槽。然后，移除部分绝缘层。之后，形...
该专利属于力晶半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过力晶半导体股份有限公司授权不得商用。

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