用于使用牺牲的注入层形成非无定形超薄半导体器件的方法技术

一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：　　　　在单晶衬底（１０６）上方限定牺牲层（１０８）；　　　　以防止所述单晶衬底（１０６）基本上无定形化的方式采用掺杂剂物质对所述牺牲层（１０８）注入；和　　　　对所述牺牲层（１０８）退火以便驱使所述掺杂剂物质从所述牺牲层（１０８）进入所述单晶衬底（１０６）。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般地涉及半导体器件处理，并且，更具体地涉及使用牺牲的注入层形成非无定形超薄半导体器件的方法。
技术介绍
在硅衬底内形成超浅p+和n+掺杂区是在集成电路内使用的金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其他半导体器件的制造中的决定性步骤。MOS晶体管不断减少的尺寸要求晶体管的所有横向和垂直尺寸都缩减。在传统的按比例缩放方案中，结的深度与栅长度线性地按比例缩放，该结形成MOS晶体管的源和漏区。因此，在目前的半导体制造业中需要具有适当地低表面电阻的p+和n+区的浅结。在传统的半导体制造法中，浅结可以由离子注入继之以退火，如快速热退火(RTA)，而形成。此技术的可靠性在该技术中已知可以低至300到400埃的结深度。制造兼备小于300或400埃的结深度和适当地低表面电阻的掺杂区的任务是更大的挑战。完成此任务对于通过硼的注入和扩散特性实现p-型浅掺杂区尤其困难。在这方面重要的问题包括控制掺杂剂沟道、减少热扩散、和抑制暂时增强的扩散，特别是在硼和磷的情况下。而且以低的表面电阻的浅区(即，以高杂质浓度)仅能实现良好的器件性能。按比例缩放已经趋向于在保持总掺杂剂水平大体上恒定的同时降低离子注入本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括在单晶衬底(106)上方限定牺牲层(108)；以防止所述单晶衬底(106)基本上无定形化的方式采用掺杂剂物质对所述牺牲层(108)注入；和对所述牺牲层(108)退火以便驱使所述掺杂剂物质从所述牺牲层(108)进入所述单晶衬底(106)。2.权利要求1的方法，其中所述牺牲层(108)是介质层，进一步包括以下至少一种氧化物层、氮化物层、和氮氧化合物层。3.权利要求1的方法，进一步包括形成晕圈注入，其中，除了所述掺杂剂物质，在对所述牺牲层(108)退火之前，采用损伤产生物质进一步对所述牺牲层(108)注入。4.权利要求3的方法，其中所述损伤产生物质进一步包括以下至少一种硅、锗、铟、氟和稀有气体。5.权利要求3的方法，进一步包括利用所述牺牲层(108)形成扩展注入。6.权利要求5的方法，其中用于所述晕圈注入的退火在比所述扩展注入更高的温度下执行更大的持续时间。7.权利要求1的方法，其中所述牺牲层(108)进一步包括形成在硅衬底上方的氧化物层，所述氧化物层被形成为大约15到大约100埃的厚度。8.权利要求7的方法，其中选择所述掺杂剂物质的注入能量以便将所述掺杂剂物质的峰值浓度定位在所述氧化物层的大约中间处。9.权利要求1的方法，其中所述单晶衬底进一步包括绝缘体上硅(SOI)器件的硅区，该硅区具有小于大约100埃的硅厚度。10.权利要求1的方法，其中所述单晶衬底进一步包括场效应晶体管(FET)器件的硅区，该硅区具有小于大约200埃的厚度。11.权利要求1的方法，进一步...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥马尔·H·多库马西，保罗·郎西姆，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：