用于无定形或微晶ＭｇＯ隧道势垒的铁磁性优先晶粒生长促进籽晶层制造技术

一种ＭｇＯ类磁性隧道结（ＭＴＪ）器件，其大体上包括铁磁性参照层、ＭｇＯ隧道势垒和铁磁性自由层。ＭｇＯ隧道势垒的微结构是无定形或具有不良（００１）面外织构的微晶，所述ＭｇＯ隧道势垒是通过其后为氧化处理的金属Ｍｇ沉积或反应性溅射制备的。在本发明专利技术中提出至少仅铁磁性参照层或铁磁性参照层和自由层两者为具有与所述隧道势垒邻接的结晶的优先晶粒生长促进（ＰＧＧＰ）籽晶层的双层结构。该结晶ＰＧＧＰ籽晶层在后沉积退火时包括ＭｇＯ隧道势垒的结晶和优先晶粒生长。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及特别关于磁性随机存取存储器(MRAM)和包括在硬盘驱动器中的记录读取头的磁性传感器等的磁性隧道结(MTJ)器件领域，其采用隧道磁阻。更具体地，本专利技术涉及具有通过氧化方法或反应性溅射方法制备的MgO隧道势垒(Tunnel Barrier) 的MTJ器件，所述隧道势垒的微结构是无定形或具有不良(001)面外织构(out-of-plane texture)的微晶。更具体地，本专利技术涉及将作为PGGP籽晶层的结晶铁磁性层(crystalline ferromagnetic layers)插入的MTJ器件，所述结晶铁磁性层与MgO隧道势垒邻接以提高在后沉积退火期间MgO隧道势垒的结晶度。
技术介绍
在磁性隧道结(MTJ)器件中的核心元件是“铁磁性层(ferromagnetic layer)/ 隧道势垒/铁磁性层”三层结构。MTJ器件的电阻变化归因于根据两层铁磁性层的相对磁化取向借助穿过器件的偏压的自旋极化电子通过隧道势垒的隧穿概率(tunneling probability)的差异。夹置所述隧道势垒的两层铁磁性层的相对磁化取向是通过两层铁磁性层不同的逆磁化(magneti本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种磁性隧道结器件的制造方法，所述方法包括：将含有铁磁性材料的第一层沉积的第一层沉积步骤；将隧道势垒层沉积至所述铁磁性层上的隧道势垒层沉积步骤；和将含有铁磁性材料的第二层沉积至所述隧道势垒层上的第二层沉积步骤，其中所述第一层沉积步骤包括形成第一无定形铁磁性层的第一无定形铁磁性层形成步骤，和形成第二结晶铁磁性层的第二结晶铁磁性层形成步骤，所述第二结晶铁磁性层是被所述第一无定形铁磁性层和所述隧道势垒层夹置的优先晶粒生长促进（ＰＧＧＰ）籽晶层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔永硕，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP